一、二极管特性图示仪的调整（论文文献综述）
储蕾[1]（2021）在《强电磁脉冲耦合特性及其器件防护研究》文中认为针对强电磁脉冲耦合特性及其防护这一问题,本文通过有界波电磁脉冲模拟器产生上升沿为2.3±0.5 ns,半宽为23±5 ns的双指数核电磁脉冲波形,分别用不同长度的同轴线、不同角度的天线、金属线和磁环天线在电场中进行耦合,采集并处理分析耦合到的电压波形,研究了强电磁脉冲的耦合特性。提出了强电磁脉冲器件防护的设计方案,采用浪涌防护器件和电磁脉冲滤波器相结合的方式,并对电磁脉冲滤波器的设计过程做出了详细的阐述。借助归一化滤波器设计了三阶、四阶和五阶滤波电路,并进行实验测试,对比其实际效果。最后通过电磁脉冲电流模拟系统对强电磁脉冲防护装置进行了PCI注入测试。本研究为强电磁脉冲耦合以及器件防护的研究奠定了基础,得到以下结论:（1）天线和线缆耦合到的电压波形都为双极性震荡波,在200 ns以前,震荡的幅度较大,频次较高,200 ns之后,震荡的幅度较小,频次较低。天线与线缆耦合的频率都主要集中于300 MHz以下,在50 MHz,150 MHz,200 MHz附近有多个能量峰。（2）同轴线缆耦合电压的峰值与长度呈正相关。金属线没有编织屏蔽层,耦合到的电压峰值要比同轴线缆耦合到的电压峰值大一个数量级。当天线与电场方向平行时,耦合到的峰值电压最大,与电场平行时天线耦合的电压峰值是与电场垂直时的1.5～2倍之间。当电场值为35 k V/m时,8.5 cm长的金属线耦合到的电压峰值为282 V,耦合能量为9.35×10-5J。（3）电磁脉冲电流模拟系统的开路电压波形对不同型号的压敏电阻,瞬态抑制二极管和气体放电管进行测试,压敏电阻的限制电压峰值与其压敏电压相近,随着压敏电压的增大而增大。而瞬态抑制二级管和气体放电管响应波形的电压峰值与其自身参数没有必然联系,电压峰值都在180～250 V之间。（4）通过加上三阶、四阶和五阶滤波电路与不加滤波电路,线缆耦合电压的波形和频谱可以看出,加上滤波电路的效果比较明显,耦合电压峰值有较大的衰减,与原始耦合电压峰值相比,衰减了五十倍以上;与只加TVS管相比,衰减了十几倍。而在频率方面,加了滤波电路之后把频率集中在了30 M附近,30 M以上的频率衰减了一部分。在电压衰减方面,加了四阶滤波电路之后所耦合到的电压峰值最低;在频谱方面,加三阶和四阶滤波电路要比五阶滤波更好一点。
王玉仁[2]（2020）在《三极管参数测量系统的研究与实现》文中研究表明随着21世纪半导体行业的竞争日益加剧,相关行业都在考虑获得低成本、高质量的半导体器件。该行业多样化的半导体市场需求,致使对各类半导体器件性能参数测试种类增加;随着测试种类增加测试耗费的时间增长,特别是在航天和军工行业对半导体器件需要增加非常温、非标准大气压等极端条件下的性能参数测试,测试项目从最初的常温条件测试参数增加到极端条件测试参数（耐高温测试、耐高压测试、耐低压测试）。因此,传统的测量方法已不能满足企业欲达到节约测试成本的需求。为解决以上问题,本论文对现有的半导体器件测试系统进行改进,将新的测试要求加入测试系统中,既节省改造成本又不增加测量耗时。本文通过对传统测试仪的测量原理和方法分析,找出传统测试仪存在的不足与缺陷,并进行了改进和优化。文章主要内容有:1、半导体三极管目前的测试方法难以满足企业要求,本文设计出一款晶体管测试仪,可满足目前市场需求、功能齐全、电流最小识别可以精确到PA级别。2、本设计的方案可以解决传统测试仪在测试过程中容易产生自激振荡的问题,改变集电极的供电方式。在耐压项目测试时由传统的脉冲电压激励源改用斜率K控制施加电压激励源的方式。优点是:可以快速让电压稳定在设定值附近,加快了预设值稳定速度,缩短了测试耗时。3、研究半导体三极管待测端插孔的连接性能,使用继电器和屏蔽线,可以有效的减低电磁干扰所带来的影响。完成项目设计后对测试仪进行了参数调试和误差校准。最后实际测量了多种三极管,证明本设计系统可以安全稳定工作。新设计的三极管测试仪消除了传统测试仪在测量过程中易出现自激振荡的现象。高压源由芯片调节PWM信号产生,实现输出电压范围?20V∽?1000V、施加电压误差范围在?10V内、施加激励在3ms内完成;在数据采集时用PGA204高增益低温漂提高了测量精度,其中30n A∽200n A的电流测试精度为?3%在模数转换前使用光耦器件HCPL-0211降低信号传输过程中的干扰,还设计了钳位保护电路来防止器件烧毁提高测试系统的安全性。
汤宇[3]（2020）在《具有载流子加速效应的LIGBT的研究与流片实现》文中研究表明绝缘栅双极型晶体管（IGBT）凭借其高栅极输入阻抗、低导通电阻等优点,迅速的发展成为功率半导体器件的典型代表,广泛地应用于家用电器、工业控制、汽车电子、新能源等领域。由于IGBT器件在导通阶段,阳极的大注入效应使得大量空穴被注入漂移区,漂移区内发生电导调制效应,电子和空穴同时参与导电,器件的导通电阻迅速降低,而在器件栅极关断后,器件电子导电通路关闭,漂移区内的大量非平衡电子没有快速的泄放通路,只能通过复合消除,所以形成较长的拖尾电流现象。这就限制了器件的开关频率和提高了器件的关断损耗。随着功率半导体市场对高速大电流开关器件的需求越来越旺盛,研究者们努力在寻找解决IGBT器件导通电阻与关断时间之间的矛盾制约关系方案。本文就是在这一的背景下,提出了一种新型的具有载流子加速效应的LIGBT（Carrier Accerated Lateral IGBT,CA-LIGBT）器件,本文提出的CA-LIGBT器件是在传统LIGBT的基础上,引入一个位于漂移区上方的多晶硅辅助栅极,在器件的关断阶段,该辅助栅极可以在漂移区中间位置引入一个新的电场峰值,使得器件在整个漂移区内的电场分布更加均匀,以提高器件的击穿电压。在器件导通阶段,该辅助栅极可以提供一个从阳极到辅助栅极的额外电场,使得阳极注入漂移区内的空穴载流子获得加速,进而提高阳极的注入效率,降低器件的导通阻抗。在器件的关断过程中,辅助栅极同样的会促进空穴载流子向漂移区内注入,以加速漂移区内的非平衡电子复合速度,从而缩短器件的拖尾电流时间,减少器件的关断损耗。基于对CA-LIGBT器件的理论分析,本文设计了一款400V耐压的CA-LIGBT器件结构,并通过TCAD软件Sentaurus对器件进行建模和各项性能仿真验证,根据仿真结果,对比传统的LIGBT器件,本文设计CA-LIGBT器件可以在提高击穿电压、导通电流密度的同时,还大幅缩短了器件在关断时的拖尾电流时间。本文使用了与传统BCD工艺相兼容的工艺步骤,对400V CA-LIGBT器件进行工艺流程设计,对工艺步骤仿真验证后,进行了版图设计,并在中科渝芯1.0μm工艺下流片,在流片完成进行器件的的封装工作,同时对器件的驱动方案进行设计,通过测试工作来验证该驱动方案。经过对流片后的400V CA-LIGBT器件的测试,器件的耐压值为350V,导通电流密度达到155A/cm2,器件的关断时间为190ns,器件阳极的上升时间为90ns。
罗宗海[4]（2019）在《高速光电耦合器的几个关键问题研究和测试系统搭建》文中研究指明光电耦合器是一种正向传输信号、反向隔离信号的单向隔离器件,其应用十分广泛,尤其是在可靠性要求较高的领域有着不可替代的作用。它问世于上个世纪六十年代,由于其体积小、隔离性好、可靠性高、成本低等特点,在问世之初便受到极大的关注。经过几十年的发展,光电耦合器集成程度越来越高、速度越来越快、隔离电压越来越高、器件体积越来越小、产品种类也越来越丰富。由于受到国外的技术封锁,国内光电耦合器的研究工作一直进展缓慢,尤其是在速度这一关键指标上国产光电耦合器至少落后国外产品45倍,因此在各领域光电耦合器仍然主要使用国外产品。为实现光电耦合器的国产化替代,我们团队在近年来对光电耦合器开展了深入的研究和试验。我们首先探索了光电耦合器的信号传输与隔离的原理,建立了相应理论模型;接着提出自己的研制思路,设计光敏芯片并基于这个芯片封装了一款可靠性高的高速光电耦合器;同时还基于源表使用单片机开发了针对这个光电耦合器的自动测试系统,对产品进行了测试和分析;对封装后的产品我们还进行了可靠性研究,提出了提升产品可靠性的办法。在高速光电耦合器制作中主要会面临以下三个关键问题:1)光电转换部分速度慢、效率低;2)光电转换产生的光电流一般在10μA量级,远远不能实现驱动后端电路工作的目的,因此必须建立大带宽的跨阻放大器将电流信号转换为电压信号,后续还应当进一步将电压信号正确放大的问题;3)光电耦合器寿命较短的问题。针对以上三个关键问题我们提出的解决方案如下:（1）在光敏芯片制作上我们介绍了两种提升响应速度的方法,第一种方法是应用超薄PIN结保证光电流的结区渡越时间足够短,同时在该PIN结上引入微纳米孔阵列,以提升PIN结的响应度;第二种方法是使用明暗结合的光电二极管阵列,通过光电二极管中的特异结构抵消探测器中产生的“慢电流”,从而实现信号的高速转换和传输;（2）在其后CMOS集成电路部分提出了一种对称结构高速跨阻放大器,实现将光电流转换成为电压的功能,再通过与运放、逻辑转换和驱动电路、高速电源电路的配合,实现将光生电流信号最终转换成输出逻辑电平信号的目的,同时降低了电路中的共模噪声信号;（3）针对光电耦合器寿命问题,我们采用了加速寿命实验的方式对器件性能进行深入的研究,揭示了封装工艺对器件寿命造成的影响,成功将光电耦合器的寿命问题定位到发光二极管的“软击穿”上,据此我们调整了封装工艺,保证了器件的长期使用的可靠性。最终我们对研制的光电耦合器实物进行测试和评估,实测产品传输速度可以达到50MBd,质量可靠性达到国外产品的H级标准,成为了国内首款自研的传输速度达到50MBd的光电耦合器,实现了超高速光电耦合器国产化的目标。
冯婷婷[5]（2016）在《基于嵌入式系统的晶体管特性图示仪设计》文中进行了进一步梳理晶体管作为重要的电子元器件,既是整个电子行业的基础,同时也深刻地影响着行业的发展。晶体管特性图示仪作为测量测试仪器,在晶体管的筛选使用过程中发挥着重要作用。传统晶体管特性图示仪是基于模拟电子线路的纯硬件设备,缺少数字化接口,同时体积较大。随着嵌入式系统的应用以及微电子技术的发展,为晶体管特性图示仪的数字化、网络化和智能化发展提供了技术支撑,本文研究基于嵌入式处理器的晶体管特性图示仪设计方法,能够实现相关参数的自动测量、计算与显示,为高校电子信息类相关专业提供信息化实验教学设备。本文简介晶体管特性图示仪原理、单元电路组成及结构特点,基于嵌入式微控制器STM32F103设计了一种数字化的晶体管特性图示仪。给出图示仪硬件体系结构设计,整个系统包括微控制器单元模块、信号发生电路模块、信号采集和调理模块以及显示模块,重点介绍信号发生电路和数据采集电路的设计,其中信号发生电路由阶梯电流源、阶梯电压源以及扫描电压源三个部分组成,集电极弱电流信号（精密采样电阻端电压）通过仪表放大器放大处理后进行采样。软件上基于Keil μ Vision集成开发环境实现测量控制功能,微控制器单元通过SPI接口控制数字电位器接入电路的阻值而产生基极阶梯电流信号,通过DAC输出可调模拟电压产生集电极扫描电压信号,采用内置12位逐次逼近型ADC进行基极和集电极电压采样,采用中位值平均滤波算法对连续多次采样值进行运算,提高测量精度,通过可变静态存储控制器总线驱动LCD,对于待测晶体管输入输出特性曲线的显示采用描点法实现。同时,还基于Lab VIEW设计了上位机程序,通过网口向微控制器单元发送控制命令或者接收来自它的采样数据并保存。本文最后给出各模块测试数据及系统实验结果,结果表明设计的嵌入式晶体管特性图示仪正常运行,阶梯电流源产生分辨率为0.1μA的0-160μA电流,扫描电压源产生分辨率为8mV的0-30V电压,通过与实验室现有图示仪对比,其输出特性测量误差为0.24%,精度较高,同时该图示仪体积小、成本低,对测试结果可以进行数字化处理。
周玲[6]（2014）在《低压大功率平面稳压二极管的设计与制造》文中认为随着电力、电子、国防事业的不断发展,对10 V以下大功率稳压二极管的需求量越来越大。文章论述了低压大功率平面二极管的设计原理,并对目前市场需求量较大的（5±5%）V、（6.8±5%）V、（8.2±5%）V等典型电压范围的产品进行设计及制造探讨。通过仿真和实践论证了在一定衬底电阻率下,反向击穿电压、正向压降之间的关系,提出了该类产品的设计原理。并对该类产品在测试时出现的一些问题进行分析,找到相应的解决方法,为今后同类产品的设计与制造提供参考。
孔维贤[7]（2013）在《二极管Ⅰ-Ⅴ曲线和结参数测试系统的设计和实现》文中指出二极管一直对电子工业的发展产生着重要的助推作用,同时二极管的特性参数检测技术则一直在被探索中。其中,电流-电压（I-V）法是一种经典的检测方法,被用来检测二极管的反向饱和电流、串联电阻、理想因子、势垒高度、发射系数等参数。I-V法基于高精度的I-V特性曲线进行测量,由于模型简化、分析方便使其应用非常广泛。实现I-V特性曲线的高精度测量以及结参数的自动获取是目前I-V法所面临的困难。本文从参数、原理及测试方法上对二极管作了详细的研究说明,并介绍了一个以ATmega16单片机为核心部件,可实现二极管I-V特性测量和结参数显示的系统。该系统专门针对二极管小批量生产厂家设计,操作简单、成本低、可靠性高。系统通过给二极管及其串联电阻提供高精度的电压源,使用模数转换器分别测量二者的电压,根据欧姆定理计算出二极管的电流,以此获取二极管的I-V特性点数据,并利用MATLAB的图形用户界面（GUI）将特性曲线及相关参数显示在计算机中。通过按键设计,系统还实现了手动测量和自动测量方式的切换。本文还提出了自适应双倍阈值RANSAC法（DRANSAC）,提高了弱电流情况下的噪声滤除效果,并实现了结参数的自动获取。
刘春梅,曹文,胥磊[8]（2012）在《基于MSP430F436单片机的晶体管图示仪设计与实现》文中提出设计了一种基于MSP430F436单片机的智能化晶体管图形测试仪,采用12位D/A转换器TLV5616实现图形参数的数字化控制,采用单片机自带的12位A/D转换器和LCD实现输出图形参数的测量与显示,并外扩PS/2鼠标作为人机接口,测量数据可通过RS232串口上传到上位机实现高级处理。相对于传统的模拟晶体管图示仪,该图示仪具有精度高、成本低、易于扩展的优点。
王艳萍[9]（2012）在《半导体管特性图示仪Y轴集电极电流倍率及阶梯电流的检定》文中研究指明0引言半导体管特性图示仪是一种能在示波器屏幕上观察和测试半导体管特性曲线和直流参数的测量仪器,具有广泛性、直观性、全面性、准确性等特点,使用面极为广泛,晶体管、场效应管、光电管、可控硅、三极管、二极管等,几乎所有的二端、三端的半导体器件均可进行观察和测试。图示仪不是用
王松波[10]（2011）在《常用电子原器件的简单测试》文中研究说明简明介绍常用的电阻、电容、二极管、场效应管、等电子元器件基本的测试方法。
二、二极管特性图示仪的调整（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、二极管特性图示仪的调整（论文提纲范文）
（1）强电磁脉冲耦合特性及其器件防护研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 前言 |
| 1.1 本文研究的背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 模拟器和测量传感器的发展 |
| 1.2.2 电磁脉冲耦合数值分析 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 第二章 高空核爆炸产生的电磁脉冲环境 |
| 2.1 核电磁脉冲的产生机理 |
| 2.2 高空核爆炸的电磁环境 |
| 2.3 高空核电磁脉冲的特点 |
| 第三章 核电磁脉冲耦合 |
| 3.1 电磁脉冲耦合理论 |
| 3.1.1 单极子天线与偶极子天线 |
| 3.1.2 磁偶极子天线 |
| 3.2 电磁脉冲耦合实验 |
| 3.2.1 实验设备介绍 |
| 3.2.2 线缆长度对耦合电压的影响 |
| 3.2.3 线缆种类对耦合电压的影响 |
| 3.2.4 天线角度对耦合电压的影响 |
| 3.2.5 磁环天线耦合核电磁脉冲 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 强电磁脉冲器件防护设计 |
| 4.1 浪涌防护器件 |
| 4.1.1 压敏电阻 |
| 4.1.2 瞬态抑制二极管 |
| 4.1.3 气体放电管 |
| 4.2 电磁脉冲滤波器元器件 |
| 4.2.1 穿心电容 |
| 4.2.2 电感的绕制 |
| 4.2.3 共模扼流圈 |
| 4.3 电磁脉冲滤波器设计 |
| 4.3.1 滤波器的设计 |
| 4.3.2 滤波器测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 强电磁脉冲防护装置测试 |
| 5.1 强电磁脉冲防护装置技术要求 |
| 5.1.1 术语和定义 |
| 5.1.2 基本要求 |
| 5.2 强电磁脉冲防护装置测试要求 |
| 5.2.1 测试方法 |
| 5.2.2 测试设备 |
| 5.2.3 测试指标 |
| 5.3 强电磁脉冲防护装置测试 |
| 5.3.1 PCI注入测试 |
| 5.3.2 屏蔽效能测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 存在的问题和展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（2）三极管参数测量系统的研究与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景及意义 |
| 1.1.1 半导体三极管的发展背景 |
| 1.1.2 发展半导体测试行业的意义 |
| 1.2 国内国外半导体测试发展现状 |
| 1.3 论文的主要工作及结构安排 |
| 1.4 本章小结 |
| 第二章 三极管参数检测方法研究 |
| 2.1 晶体三极管的类别与主要参数 |
| 2.1.1 晶体三极管的分类 |
| 2.1.2 晶体三极管的主要技术参数 |
| 2.1.3 影响三极管测量的因素 |
| 2.2 放大倍数?的测试 |
| 2.2.1 ?的软件调控测试 |
| 2.2.2 新型?的反馈回路调控测试 |
| 2.3 漏电流测试 |
| 2.3.1 软件环路比较测控法 |
| 2.3.2 比较器环路测控法 |
| 2.4 PA级微电流测量 |
| 2.4.1 普通微电流转换法 |
| 2.4.2 新型微电流转换法 |
| 2.5 晶体管NPN、PNP识别转换 |
| 2.6 半导体三极管反向耐压 |
| 2.6.1 静态脉冲测试法 |
| 2.6.2 动态脉冲测试法 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 测试系统的硬件设计 |
| 3.1 系统的整体设计 |
| 3.1.1 芯片选型 |
| 3.1.2 时钟与调试接口设计 |
| 3.1.3 硬件电路设计 |
| 3.2 模数转换模块 |
| 3.3 基极电流源模块 |
| 3.4 光电耦合隔离模块 |
| 3.5 HV高压模块电路 |
| 3.6 测压/测流切换 |
| 3.7 系统电源单元 |
| 3.7.1 恒压源单元 |
| 3.7.2 BJT电压反馈单元 |
| 3.7.3 电压跟随单元 |
| 3.8 电磁干扰防护设计 |
| 3.8.1 硬件抗干扰设计 |
| 3.8.2 软件抗干扰设计 |
| 3.9 本章小结 |
| 第四章 系统调试与验证 |
| 4.1 上位机通信校验 |
| 4.2 测试系统的校准 |
| 4.2.1 直流电压的校准 |
| 4.2.2 直流电流的校准 |
| 4.2.3 取样电阻的校准 |
| 4.3 硬件功能验证实验 |
| 4.3.1 电压源输出验证 |
| 4.3.2 电流源输出验证 |
| 4.3.3 饱和压降输出验证 |
| 4.3.4 耐压输出验证 |
| 4.4 实测三极管技术参数 |
| 4.4.1 晶体管CD368A技术参数测试 |
| 4.4.2 晶体管D9013技术参数测试 |
| 4.4.3 晶体管DG130D技术参数测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 本文的主要贡献 |
| 5.2 下一步工作与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）具有载流子加速效应的LIGBT的研究与流片实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与研究意义 |
| 1.2 功率半导体器件发展 |
| 1.3 IGBT器件概述 |
| 1.3.1 IGBT器件的发展历程及研究现状 |
| 1.3.2 高速IGBT器件的发展技术 |
| 1.4 论文主要工作及章节安排 |
| 第二章 LIGBT的工作原理和基本特性 |
| 2.1 LIGBT的基本结构及工作原理 |
| 2.2 LIGBT的基本特性 |
| 2.2.1 LIGBT的耐压特性 |
| 2.2.2 LIGBT的阈值电压特性 |
| 2.2.3 LIGBT的导通特性 |
| 2.2.4 LIGBT的开关特性 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 具有载流子加速效应的LIGBT的研究及设计仿真 |
| 3.1 具有载流子加速效应的LIGBT的器件结构 |
| 3.2 具有载流子加速效应的LIGBT器件的工作原理及特性分析 |
| 3.2.1 CA-LIGBT器件的耐压特性 |
| 3.2.2 CA-LIGBT器件的阈值电压特性 |
| 3.2.3 CA-LIGBT器件的导通特性 |
| 3.2.4 CA-LIGBT器件的开关特性 |
| 3.3 400V CA-LIGBT器件的设计与仿真 |
| 3.3.1 400V CA-LIGBT器件结构设计 |
| 3.3.2 400V CA-LIGBT器件耐压特性仿真分析 |
| 3.3.3 400V CA-LIGBT器件阈值电压特性仿真分析 |
| 3.3.4 400V CA-LIGBT器件导通特性仿真分析 |
| 3.3.5 400V CA-LIGBT器件开关特性仿真分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 CA-LIGBT器件的工艺、版图设计及流片测试 |
| 4.1 400V CA-LIGBT器件的工艺流程设计 |
| 4.2 400V CA-LIGBT器件的版图设计及流片实现 |
| 4.3 400V CA-LIGBT器件的驱动方案设计及测试 |
| 4.3.1 击穿电压测试 |
| 4.3.2 导通电流测试 |
| 4.3.3 关断时间测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（4）高速光电耦合器的几个关键问题研究和测试系统搭建（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景和课题意义 |
| 1.2 光电耦合器的发展与应用简述 |
| 1.2.1 光电耦合器的国外发展 |
| 1.2.2 光电耦合器的国内发展 |
| 1.3 本文章节安排及章节主要内容 |
| 1.4 本章总结 |
| 第二章 光电耦合器信号传输理论模型与关键性能指标 |
| 2.1 光电耦合器信号传输的理论模型 |
| 2.1.1 发光二极管发光原理 |
| 2.1.2 光敏芯片光电转换原理 |
| 2.2 光电耦合器关键性能指标 |
| 2.2.1 发光二极管关键性能指标 |
| 2.2.2 光敏芯片关键性能指标 |
| 2.2.3 光电耦合器传输性能关键指标 |
| 2.2.4 表征光电耦合器隔离特性的关键指标 |
| 2.3 光电耦合器的几个典型类别及其应用电路简述 |
| 2.3.1 最初的光电耦合器——光敏三极管输出型 |
| 2.3.2 达林顿输出型光电耦合器 |
| 2.3.3 双极型工艺下的高速光电耦合器 |
| 2.3.4 CMOS工艺下的推拉门型超高速光电耦合器 |
| 2.4 本章总结 |
| 第三章 光敏芯片关键部分设计与研究 |
| 3.1 光电探测单元设计 |
| 3.1.1 用于光电耦合器的带二维孔阵列的超薄PIN二极管 |
| 3.1.2 明暗结合的光电二极管阵列 |
| 3.2 关键CMOS电路单元设计 |
| 3.2.1 跨阻放大电路的分析与设计 |
| 3.2.2 电压比较器的分析与设计 |
| 3.2.3 整形电路的分析与设计 |
| 3.2.4 电路整体仿真展示 |
| 3.3 本章总结 |
| 第四章 自动测试系统设计与产品性能分析 |
| 4.1 自动测试系统设计 |
| 4.2 所设计光电耦合器性能测试与评估 |
| 4.3 产品寿命分析与改进 |
| 4.4 本章总结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 在学期间取得的与学位论文相关的研究成果 |
（5）基于嵌入式系统的晶体管特性图示仪设计（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文结构与内容安排 |
| 第二章 晶体管特性图示仪原理 |
| 2.1 晶体管结构与分类 |
| 2.1.1 半导体二极管 |
| 2.1.2 晶体三极管 |
| 2.1.3 场效应晶体管 |
| 2.2 晶体管特性图示仪原理 |
| 2.2.1 总体结构介绍 |
| 2.2.2 单元电路分析 |
| 2.3 晶体管特性图示仪举例 |
| 2.3.1 电子管式特性图示仪 |
| 2.3.2 晶体管式特性图示仪 |
| 2.3.3 晶体管与集成电路混合式特性图示仪 |
| 第三章 嵌入式晶体管特性图示仪硬件设计 |
| 3.1 系统总体硬件结构 |
| 3.2 嵌入式微控制器单元电路 |
| 3.2.1 微控制器单元内部结构 |
| 3.2.2 微控制器单元外围电路 |
| 3.3 信号发生电路 |
| 3.3.1 基极阶梯电流源 |
| 3.3.2 集电极扫描电压源 |
| 3.3.3 栅极阶梯电压源 |
| 3.4 数据采集电路 |
| 3.5 网口通信单元电路 |
| 3.6 电源模块 |
| 第四章 嵌入式晶体管特性图示仪测量控制软件 |
| 4.1 系统总体功能 |
| 4.2 驱动信号控制 |
| 4.3 信号采集与处理 |
| 4.3.1 AD采样与滤波算法 |
| 4.3.2 液晶显示 |
| 4.4 网口传输功能 |
| 4.5 上位机软件设计 |
| 4.5.1 系统功能框图 |
| 4.5.2 数据存储与前面板显示 |
| 第五章 系统调试与实验结果 |
| 5.1 硬件电路与软件功能调试 |
| 5.2 实验测试结果 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 |
（6）低压大功率平面稳压二极管的设计与制造（论文提纲范文）
| 1 产品极限值及主要电特性 |
| 1.1 极限值 |
| 1.2 主要电特性 |
| 2 产品结构设计 |
| 2.1 产品封装外形 |
| 2.2 产品横向结构设计 |
| 2.3 产品纵向结构设计 |
| 3 产品主要工艺设计 |
| 3.1 主要工艺流程 |
| 3.2 主要工艺参数 |
| 4 产品的试投料情况 |
| 5 试验情况 |
| 6 结语 |
（7）二极管Ⅰ-Ⅴ曲线和结参数测试系统的设计和实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 课题来源和目标 |
| 1.3 系统实现的功能 |
| 1.4 论文的组织结构 |
| 第二章 半导体二极管的能带原理和参数 |
| 2.1 二极管的能带原理 |
| 2.1.1 费米能级和功函数 |
| 2.1.2 PN结和肖特基接触 |
| 2.2 二极管的一般参数 |
| 2.3 二极管的结参数 |
| 2.3.1 势垒高度 |
| 2.3.2 反向饱和电流 |
| 2.3.3 串联电阻 |
| 2.3.4 理想因子 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 I-V特性曲线的数据处理 |
| 3.1 I-V曲线的滤波方法 |
| 3.1.1 常规滤波方法 |
| 3.1.2 积分极点法 |
| 3.1.3 DRANSAC法 |
| 3.1.4 DRANSAC法与积分极点法效果对比 |
| 3.2 I-V曲线的模型函数 |
| 3.2.1 Shockley方程 |
| 3.2.2 Richardson图 |
| 3.2.3 Kaminski法 |
| 3.3 最小二乘法拟合原理 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 系统硬件电路设计 |
| 4.1 硬件电路框架 |
| 4.2 电源供应电路 |
| 4.3 输入按键电路 |
| 4.4 信号调理模块 |
| 4.5 单片机控制模块 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 系统软件设计 |
| 5.1 系统软件的总体功能 |
| 5.1.1 单片机的软件功能 |
| 5.1.2 GUI的软件功能 |
| 5.2 矩阵按键工作原理 |
| 5.3 基本器件的软件控制原理 |
| 5.3.1 DAC的控制原理 |
| 5.3.2 PGA的控制原理 |
| 5.3.3 ADC的控制原理 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 测试结果 |
| 6.1 I-V曲线数据的误差与滤波 |
| 6.1.1 几种滤波效果的对比 |
| 6.1.2 I-V曲线数据的滤波 |
| 6.2 两种二极管I-V特性对比 |
| 6.3 二极管结参数的提取 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 论文总结与展望 |
| 7.1 论文总结 |
| 7.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（8）基于MSP430F436单片机的晶体管图示仪设计与实现（论文提纲范文）
| 1 系统硬件部分与设计 |
| 1.1 电压信号采集模块 |
| 1.2 D/A转换模块 |
| 1.3 PS/2鼠标模块 |
| 1.4 电源模块 |
| 1.5 串行通信模块 |
| 2 系统软件设计 |
| 2.1 PID控制晶体管基极饱和电流 |
| 2.2 采样与绘图 |
| 2.3 晶体管极性智能检测 |
| 2.4 上位机通信模块 |
| 3 测试与分析 |
| 4 结束语 |
（9）半导体管特性图示仪Y轴集电极电流倍率及阶梯电流的检定（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 工作正常性检查 |
| 2 测试检定 |
| 2.1 Y轴集电极电流倍率 |
| 2.2 阶梯电流 |
| 3 结语 |
（10）常用电子原器件的简单测试（论文提纲范文）
| 1 电阻器的测试 |
| 2 电容器的测试 |
| 2.1 电解电容器的测试 |
| (1) 电解电容器漏电电阻的测试: |
| (2) 电解电容器极性的测试 |
| 2.2 非电解电容器的测试 |
| (1) 非电解电容器漏电电阻的测试 |
| (2) 非电解电容器容量的测试 |
| 2.3 可变电容器碰片和漏电的测试 |
| 3 二极管的测试 |
| 3.1 用万用表作简易测试 |
| 3.2 用JT—1型晶体管特性图示仪测试 |
| 4 场效应管的测试 |
| 4.1 测IDSS、gm |
| 4.2 测UP |
| 4.3 测BVDS |
| 5 结束语 |
四、二极管特性图示仪的调整（论文参考文献）
- [1]强电磁脉冲耦合特性及其器件防护研究[D]. 储蕾. 南京信息工程大学, 2021(01)
- [2]三极管参数测量系统的研究与实现[D]. 王玉仁. 湘潭大学, 2020(02)
- [3]具有载流子加速效应的LIGBT的研究与流片实现[D]. 汤宇. 电子科技大学, 2020(07)
- [4]高速光电耦合器的几个关键问题研究和测试系统搭建[D]. 罗宗海. 电子科技大学, 2019(01)
- [5]基于嵌入式系统的晶体管特性图示仪设计[D]. 冯婷婷. 合肥工业大学, 2016(02)
- [6]低压大功率平面稳压二极管的设计与制造[J]. 周玲. 企业技术开发, 2014(10)
- [7]二极管Ⅰ-Ⅴ曲线和结参数测试系统的设计和实现[D]. 孔维贤. 南京大学, 2013(10)
- [8]基于MSP430F436单片机的晶体管图示仪设计与实现[J]. 刘春梅,曹文,胥磊. 实验技术与管理, 2012(12)
- [9]半导体管特性图示仪Y轴集电极电流倍率及阶梯电流的检定[J]. 王艳萍. 上海计量测试, 2012(05)
- [10]常用电子原器件的简单测试[J]. 王松波. 科协论坛(下半月), 2011(02)
标签：三极管的工作原理论文; 晶体管计算机论文; 三极管开关电路论文; 耦合系数论文; 耦合电路论文;