一、Lattice发布新一代ispLEVER~(TM)设计工具（论文文献综述）
罗东明[1]（2021）在《高温下（ZrTaNbTi）C热性能和力学性能的密度泛函理论研究》文中研究表明随着科学技术的不断发展,对材料的性能提出了更高的要求,传统的材料设计方法已经无法满足社会生产以及生活的需求,因而提出了高熵合金的设计理念。研究表明,高熵合金材料具有比传统合金材料更好的综合性能,具有广阔的应用前景。随着研究的推进,在高熵合金设计理念的启发下,高熵氧化物、高熵碳化物、高熵氮化物和高熵硼化物等高熵陶瓷也逐渐得到快速发展。其中,高熵碳化物因其特别优异的物理化学性能,引起了研究者的广泛关注。尽管已有不少关于高熵碳化物的高硬度、高杨氏模量等优异力学性能的研究报道,但高温下的热学性质与力学性能的研究仍然很缺乏。因此,本论文将基于特殊准随机结构模型,结合从头计算法与自洽准谐近似方法,对（ZrTaNbTi）C的热力学性质进行了研究,并进一步研究了高熵陶瓷（ZrTaNbTi）C的电子结构以及力学性能的温度依赖,主要内容与结论如下:1、基于特殊准随机结构模型建立的（ZrTaNbTi）C固溶体的无序结构,运用密度泛函理论研究了（ZrTaNbTi）C的热力学稳定性与动力学稳定性。计算得到负的形成能和没有虚频的声子谱,表明了（ZrTaNbTi）C具有热力学稳定性与动力学稳定性。在此基础上,采用准谐近似、自洽准谐近似和准谐Debye-Grüneisen三种热力学计算模型,计算了Ti C和（ZrTaNbTi）C的热力学性质,并将三种模型所得的结果进行了比较。三种计算模型的对比研究表明,SC-QHA方法不仅具有QHA模型的高精度特点,还兼具准谐Debye-Grüneisen模型的高效率优势,是一种高效准确地研究高熵体系热力学性质的方法。这些结果对于改善高熵陶瓷的晶格动力学和热力学性质的研究以及新型超高温陶瓷的设计开发具有重要的现实指导意义。2、基于（ZrTaNbTi）C热力学性质的研究,进一步计算了高熵（ZrTaNbTi）C随温度变化的电子结构和力学性能。计算的电子态密度与巴德电荷表明,（ZrTaNbTi）C具有共价键,并伴随着离子特征。随着温度的升高,共价性降低,而离子性相对增加。（ZrTaNbTi）C基态与较高温度下的弹性常数满足波恩力学稳定性准则,表明了（ZrTaNbTi）C在本文研究温度范围内都具有力学稳定性。利用弹性常数导出的弹性参数泊松比、柯西压力和Pugh比B/G一致表明了（ZrTaNbTi）C的脆性特征。（ZrTaNbTi）C的弹性温度依赖性结果显示,力学性能随温度的增加呈下降趋势,并且泊松比、柯西压力和B/G都表明了其脆性向延展性转变的趋势。高温下（ZrTaNbTi）C的各向异性因子AZ和三维投影图表明,各向异性的温度依赖性较小,有利于降低开裂,提高使用的耐久性。
王潇正[2]（2021）在《多场景可见光通信信道损伤与系统设计研究》文中提出随着移动互联网的不断发展和人工智能时代的来临,各种大容量业务爆炸性增长,人们对高速无线通信系统的需求日益增高。相较于传统射频通信,基于发光二极管的可见光通信技术以其超宽的光谱频段、抗干扰能力强、高速率、绿色环保、安全保密性好等优点,成为近年来工业界和学术界的研究热点,被认为是突破高速大容量数据传输与频谱资源瓶颈的关键技术之一,在物联网、水下无线通信、智能交通和未来6G网络等领域拥有广阔应用前景。然而这种新兴的通信技术也面临着诸多挑战,以介质衰减、多径散射、背景光噪声、湍流衰落等为代表的信道损伤会严重影响可见光通信系统性能,降低通信速率与最大传输距离,进而制约其大规模商用和发展。针对这一问题,本论文围绕水下、室外和室内三种应用场景下的可见光通信信道损伤及系统设计展开研究,完成了理论性能分析、仿真平台设计、补偿算法实现和工程样机测试等工作,主要的研究成果和创新点如下:（1）围绕浅水域可见光通信多径色散效应与背景光噪声,基于光子追踪算法设计了模块化仿真平台与可视化界面,并通过样机测试验证。该平台整合了信道建模与性能评估功能,同时结合海平面太阳光辐照度实测数据,给出了不同工作深度下的背景光噪声强度量化方法,可从时延扩展、空间光强分布、统计性衰减以及误码率特性等方面对水下光信道进行综合分析。基于仿真结果,完成了通信系统总体设计,通过实测结果验证了仿真算法的准确性,并得出了通信距离的上限。该研究对于不同水质下的实时样机设计和链路性能评估具有指导意义。（2）围绕室外远距离可见光通信系统中的背景光噪声问题,基于FPGA设计并实现了自适应滤波降噪算法。搭建了一个灵活的可见光通信收发样机并采集室外背景光噪声,根据实测噪声数据对不同的自适应滤波算法性能进行仿真分析、确定最终参数并利用FPGA开发板实现。实验结果表明,该方法可有效抑制背景光噪声影响,在输入信噪比为2dB条件下,实现了约7.84dB的性能提升。（3）围绕船间灯光通信中的自动识别系统设计,提出了一种改进型聚类算法并在嵌入式系统中实现。针对传统人工拍发方式的不足,引入了机器学习中的k-means聚类算法并通过优化聚簇中心对其进行改进,该方法可以自动调节判决门限设定并识别光莫尔斯信号中的元素。为解决背景光噪声造成的精度下降问题,设计了基于跳变电平位置的纠错方案并利用STM32嵌入式系统实现,可有效消除跳变点带来的误差。离线仿真与原型机测试结果表明,在信噪比大于5dB的环境下该系统可实现超过99%的自动识别精度,在低信噪比环境下也表现出较好的鲁棒性。（4）围绕室内多径干扰及物联网节点的能耗问题,首次提出了一种大规模可见光反向散射通信网络框架和建模方法。基于广义高斯泊松过程对网络拓扑进行建模分析,理论推导了累积干扰功率的概率分布特性,得出了成功概率与网络容量的近似解析表达式。相较于数值仿真分析,该方法大幅减少了计算时间,可给出反向散射通信网络性能的下界和最优参数选择,用于表征网络链路的可靠性以及空间成功传输密度,为物联网中的极低功耗可见光通信设计提供了新的理论参考。
朱红银[3]（2021）在《基于GPU的晶格Boltzmann方法并行算法研究》文中研究表明晶格Boltzmann方法（Lattice Boltzmann method,LBM）是数十年来国际上发展起来的一种流体系统建模和模拟新方法。该方法兼具流体的微观分子动力学模型和宏观连续模型的优点,是介于两者之间的介观模型。由于清晰的物理背景和介观模拟的特性,晶格Boltzmann方法已经在微尺度流动与换热、多孔介质、生物流体、磁流体、晶体生长等传统方法难以有效模拟的领域广泛应用。另外,晶格Boltzmann方法具有天然的并行特性,因此特别适合在多核处理器上运行。NVIDIA GPU围绕可伸缩的多线程流式多处理器阵列构建,通过简单地扩展多处理器的数量和内存容量使GPU体系结构跨越广泛的市场范围。其在2006年推出CUDA（Compute Unified Device Architecture）,一个通用并行计算平台和编程模型,解决了如何透明地扩展并行应用程序软件以利用不断增加的处理器核心这个问题。CUDA带有一个软件环境,使得开发人员如传统编程一样通过支持的编程语言如CUDA C、CUDA Python、CUDA Java等对GPU进行编程。已有许多学者探索晶格Boltzmann方法在NVIDIA GPU上的高效实现,然而,这些研究缺乏理论依据和数据支持,大多基于经验判断程序的性能瓶颈。GPU是复杂部件的集合,具有多对多连接的网状结构,优化手段应该综合考量各个单元的工作负载。本文使用NVIDIA GTC2019（GPU Technology Conference）最新提出的性能分析方法结合新一代性能分析工具,从GPU硬件的角度分析算法的性能并作优化。另一方面,多孔介质类模拟的流场具有复杂的几何结构,流体格子通常只占全部格子的很小部分,不参与演化的格子随机分散在流场中,破坏了程序访问的数据局部性。如果仍然采用常规的模拟方法,则会导致内存的大量浪费和极低的运行效率。本文提出适用于复杂几何模拟的高效GPU方案,经过与两种典型方案的比较,本文的方案具有最佳的性能。主要工作如下:（1）本文首先以三维圆柱内的泊肃叶流动举例说明性能分析方法和工具的使用。该算例使用曲线边界条件,每层边界缺少的分布函数由单个线程处理。因此线程被组织为一维线程格和一维线程块,每一线程格内只有一个线程块。根据Nsight Compute性能分析工具和峰值性能百分比分析法,更改线程格内的线程块数量以增加并行度,优化后的性能提升大约71%。之后,我们使用这一套工具和方法分析基于晶格Boltzmann方法的模拟在新的Volta架构上的性能瓶颈。首先是内存布局,我们详细介绍了分布函数的布局方式,实现了AOS、SOA、CSOA三种布局,实验结果证明SOA具有最佳的性能。接着,为了进一步提高内存吞吐量,我们将两个内核函数融合,取消分配给格子宏观属性的内存空间转而使用寄存器代替,优化后的内核函数性能提高了20%。最后,我们比较了碰撞先于流动的Push方案和流动先于碰撞的Pull方案的性能,并对两种方案都使用共享内存优化,结果显示Pull方案性能提升比Push方案高大约10%。（2）对于具有复杂几何结构的流场,我们分析了其在GPU上模拟的问题并实现了两种典型的解决方案。使用基于性能分析方法的GPU综合优化手段对这两种方案进行了优化,例如将常用数据的存储级别从全局内存提升到寄存器、格子宏观属性使用SOA布局方式等,经过优化后的方案性能提升大概8%。指出两种解决方案存在的不足:间接寻址方案重复存储了格子坐标导致了额外的内存负载,半直接寻址启动全矩阵规模的线程降低了运行效率。之后,我们设计用于复杂几何模拟的高效GPU方案,使用具有循环指针结构的寻址方法定位格子的存储位置。基于CUDA统一内存,前向指针用来确定流体格子的内存地址,反向指针用来恢复流体格子在原始流场中的坐标。针对具有多种格子类型的三维人眼前房房水自然对流的模拟,我们仔细的存储各种类型的格子数据以满足GPU合并访问的需要。由于本文的方案减少了内存中的总的读取/写入数量,因此具有最好的性能。综上所述,本文使用NVIDIA最新的性能分析方法和新一代性能分析工具代替经验判断,从GPU硬件的角度帮助我们定位程序的性能瓶颈,为之后的优化提供了数据支持。对于具有复杂几何结构的流场,本文提出的基于循环指针寻址方法的高效GPU方案既大量减少了内存使用,又显着提升了模拟效率。
孙天啸[4]（2021）在《软X射线谱学显微实验技术研究》文中指出软X射线谱学显微技术在电池材料、生命科学、环境和地球科学等领域的研究起着至关重要的作用。扫描透射X射线显微镜（STXM）是一种复杂的多功能显微平台,可提供低至约10 nm的空间分辨率的化学形态敏感图像。结合能量范围较宽的X射线吸收谱（XAS）技术,STXM可以在大气、低温、高真空和磁场等多种环境条件下进行实验。因此,STXM成为了研究各种纳米材料、聚合物、环境、生物、无机和磁性材料微观结构的一种有力科学工具。然而,随着科学研究不断深入,用户对能量和空间分辨率、实验效率和实验环境需求的不断增加,以及诸如扫描相干衍射成像（Ptychography）、计算断层成像（Tomography）、荧光成像（Fluoresence Imaging）、焦点堆栈成像（Focal Stack Imaging）等成像方法的不断发展,需要持续对STXM技术进行更深入的研究和改进,以达到更快的实验效率、更高的分辨率和更强的抗噪声能力,并使其与先进的方法更加兼容。因此,为了提高STXM的数据质量、实验效率和信噪比,解决现有软件和硬件方面存在的不足,我们提出了创新性的解决方案,并且进行了大量设备搭建、软件开发和实验工作,具体的工作内容如下:（一）为了在上海同步辐射光源实现一款新型高性能的先进STXM,提高其成像质量和效率,并且解决由于压电电机往返运动而引入的回程误差,我们在上海同步辐射光源BL08U线站搭建了一台新型的先进STXM,并实现了一种双向运动的快速扫描技术。这台新型STXM以波带片、光阑、样品架、探测器和激光干涉仪为核心组成元件。入射的单色X射线被波带片所聚焦,通过光阑去除杂散光和高级次的光后,最后透射过样品的光强值被探测器所记录。实现STXM的核心是控制系统的开发,主要包括粗细移动平台、探测器、激光干涉仪,和相关探测器的数据采集等的控制。我们利用Python语言直接对各滑台进行高精度的灵活控制,用可编程门阵列（FPGA）实现探测器记录的光强值和激光干涉仪记录的样品位置信息的同步获取及其同步触发。其中,所使用的双向扫描技术,利用FPGA对探测器获得的光强值和激光干涉仪记录的对应位置信息进行同步采集,我们将光强值按照同一时刻的样品位置信息进行排列形成原始图像,后续利用自主开发的后处理程序对原始图像进行网格化,对落入每个网格中的数据点的光强值进行平均,最后得到均一、规整的显微图像。进一步地,我们对该系统的可视化操作界面用Py Qt5进行了研发,该界面具有界面友好、自动化高、可操作性强和简单直观的优点,利用该界面用户可以对复杂的STXM实验进行高自动化操作。最终我们利用标准靶对该STXM系统的成像效果进行了测试和实验,对一幅10μm*10μm范围,1000*1000个像素点,1 ms的积分时间的图像进行成像用时仅需16.6分钟,分辨率达到了优于30 nm的精度。实验结果表明,我们的新型STXM的双向扫描方式可以让压电电机在高速运动下不间断的往复扫描,不必担心回程误差和外界的震动,提高了扫描效率和图像质量,减少了样品在实验过程中所受的辐射剂量。特别是在一些数据量大、耗时长的成像实验中（如:大能量范围的能量堆栈和多角度的层析成像）,该新型STXM可以实现低辐射剂量、高信噪比、高空间分辨率且高速的成像,并大大节约用户机时,提升光束线站的利用效率。（二）Ptychography作为一种新兴的基于STXM的成像方法,它利用波带片把X射线聚成小的光斑,并用光阑把高级次的光和杂散光剔除,然后把光斑经过样品产生的衍射花纹用CCD或s CMOS探测器进行记录,最后通过迭代重构得到显微图像。由于它的高空间分辨率、高实验效率和高的化学敏感性,近年来受到了全世界的广泛关注。但是因为缺乏相应的数据重构软件,该成像技术的应用受到了极大的限制。因此,我们以Python语言开发了一套可视化Ptychography数据重构软件——Py PIE。该软件支持多种重构模式,自动化高,界面简洁友好,重构效果好。进一步,我们基于加拿大光源的Ambient STXM对设备进行了针对Ptychography的优化和改进,并对高镍富锂正极颗粒进行了表征和研究。我们首先分别用传统STXM和STXM-Ptychography对该电极颗粒在O的K吸收边进行了成像,结果表明,Ptychography具有更好的吸收衬度和空间分辨率,且实验效率更高。进一步,我们在O的K边、Mn的L边、F的K边和Ni的L边多个能量下对该电极颗粒进行了的Ptychography成像,给成像结果增加了成分和化学信息,我们发现电解液中的F嵌入到了降解的电极颗粒的晶格中,并伴随着Mn的不同程度的溶出。该工作为电池材料的研究提供了新的工具,为探索电池的降解机理和制备工艺提供了方向,更使得Ptychography从“正在发展的技术”真正成为了“面向大众的技术”。（三）软X射线吸收谱（XAS）是与STXM相辅相成的表征技术,也是STXM进行元素、价态分辨的前提基础。BL08U线站STXM实验腔前端的谱学腔,用皮安计来采集X射线照射到样品上激发出的俄歇电流、光电流。由于皮安计仅仅是一种高灵敏的电流表,它不仅可以采集信号电流,同时也会把噪声电流放大,造成获得的谱线信噪比较差,用户往往很难得到理想的结果。为了解决这个实际应用问题,我们设计并开发了一套新吸收谱测量系统。该系统将原有的皮安计替换为带滤波功能的预放大器、伏频转换器和多通道数据采集卡。样品的信号电流被预放大器采集,并通过其特有的滤波、漂移补偿和信号增益等功能对信号进行优化并将弱电流信号转换为大电压信号,然后该电压信号被伏频转换器转换为适于长距离传输的频率信号,最后被高速的多通道采集板卡所采集。该系统的控制系统通过实验物理和工业控制系统（EPICS）平台和Python语言来实现。我们进一步用CS-Studio来开发了该系统的可视化操作界面,可以让用户方便地进行操作控制。最后我们利用Sr Ti O3样品对新吸收谱测量系统进行了实验和测试,通过与旧系统的结果对比,新吸收谱测量系统的谱线结果更加平滑、信噪比更高、采集效率更快。
张婷贤[5]（2021）在《高电荷镍离子光钟体系原子性质的理论研究》文中指出原子光钟是利用原子或离子的光学震荡来提供频率基准的高精度科学装置,在推进时频测量相关应用和基础物理前沿研究等方面都发挥着重要作用。目前中性原子光晶格钟和单价离子光钟的精度已达到10-18量级,有的甚至进入了 10-19量级。相比于现有光钟体系,高电荷离子兼具对外界扰动不敏感和对精细结构常数变化敏感的优势,从而被推荐为新一代光钟体系的候选者。新型光钟属于新兴前沿研究领域,因此高电荷离子光钟吸引了大量研究者的目光,逐渐成为热门研究对象。但是,目前对高电荷离子光钟的理论和实验研究尚处于探索和起步阶段,有大量的空白领域值得深入研究。理论方面,虽然已推荐了大量适合发展光钟的高电荷离子,但是针对这些离子的光钟相关原子参数的定量计算则相对欠缺。实验方面,尽管已经实现了 Ar13+离子与Be+离子的协同冷却,以及量子逻辑光谱测量,但是高电荷离子光钟装置仍然没有真正搭建起来。因此,高电荷离子钟相关原子性质的理论研究对于光钟候选体系的遴选和新型光钟的实验设计都有着重要作用。本文基于多组态Dirac-Hartree-Fock方法,精确计算了高电荷镍离子（Ni11+、Ni12+、Ni14+和Ni15+）的能级结构与跃迁性质,遴选出六个适合用于新一代光钟研制的光学跃迁。进一步针对这六个钟跃迁,系统研究了评估光钟跃迁频移所需的原子参数。本论文主要内容有:（1）Ni11+、Ni12+、Ni14+和Ni15+离子的能级结构与跃迁性质的精确计算。通过数值分析电子关联效应、Breit相互作用和QED效应对相关物理量的影响,构建了能兼顾计算精度与计算效率的理论计算模型。精确计算了与Ni11+,12+,14+,15+离子基态相关的跃迁波长与跃迁几率,以及低激发态的态寿命。本论文的计算结果与最新实验,以及已有理论和实验结果之间符合一致,表明了我们计算模型的合理性。进一步,我们评估了相关跃迁的自然线宽、品质因子,特别是跃迁频率对精细结构常数α变化的敏感度,推荐以下六个品质因子较高且对α变化较敏感的光钟跃迁:·Ni11+离子的磁偶极跃迁3s23p5 2P1/2-2P3/2;·Ni12+离子的磁偶极跃迁3s23p4 3P1-3P2和电四极跃迁3s23p4 3P0-3P2;·Ni14+离子的磁偶极跃迁3s23p2 3P1-3P0和电四极跃迁3s23p2 3P2-3P0;·Ni15+离子的磁偶极跃迁3s23p 2P3/2o-2P1/2o。（2）针对上述光钟跃迁,研究了61Nj11+,12+,14+,15+离子的超精细结构,以及钟跃迁频率对磁场大小与电场梯度的敏感度。分析了电子关联效应、Breit相互作用和QED效应的影响,精确定出了光钟跃迁相关态的超精细相互作用常数、朗德g因子和电四极矩。结合具体可行的实验条件,讨论了电四极效应和Zeeman效应对光钟跃迁频率的影响。在此基础上,我们推荐用61Ni发展镍离子光钟,并在61 Ni11+,12+,14+,15+离子的超精细能级中选出了能够有效减小电四极频移的钟跃迁。从理论上指出镍离子光钟精度突破10-19量级的关键在于对二阶Zeeman频移的抑制和精密测量。本论文的计算结果能够为高电荷镍离子光钟的研制提供大量可靠的高精度原子参数。（3）研究了超精细相互作用对钟态g因子的影响。在弱场近似下,我们推导了超精细诱导的g因子计算公式,并将其应用于现有光钟体系中,计算了27A1+离子和87Sr原子3P0o钟态的朗德g因子。计算所得27Al+离子和87Sr原子的δghfs（1）（3P0 o）均与已有的精密实验结果高度符合。这表明了我们在弱场近似下同时处理超精细相互作用和磁场相互作用方法的正确性,以及本论文中Al+离子和Sr原子的计算模型的可靠性。（4）研究了超精细相互作用对61Ni12+钟跃迁态电四极矩和g因子的影响。计算了61Ni12+离子3s23p4 3P0态的电四极矩和g因子,以及超精细相互作用对3P1,2态g因子的修正。更准确地评估了 Ni12+离子钟跃迁的电四极矩频移和Zeeman频移。
毛健新[6]（2021）在《镍基氧还原电催化剂的设计合成与性能研究》文中研究表明从第一次工业革命至今,不可再生的化石燃料消耗量在持续增加,然而,化石能源储量有限、不可再生,且利用化石能源时,不可避免地会产生大量的温室气体和环境污染气体,从而对地球的生态环境造成不可逆的影响。因此,探索新型能源的利用手段、开发高效的能源转换技术、寻找容量更大的能源储存技术,是构建可持续的清洁能源系统的必要条件。在众多的能源转换技术和储存技术中,将化学能直接转化为电能始终是最值得研究的能源转化方案之一。根据对电池能量密度和安全性等方面的要求,燃料电池无疑是最被看好的清洁能源转化技术。燃料电池中的阴极氧还原反应（ORR）是工业化应用中的关键环节,该反应的反应速率直接决定了燃料电池的电池效率。提高ORR速率的最佳方法是在电极上使用高活性催化剂。目前,最有效的电催化剂主要是含有Pt的贵金属催化剂。贵金属催化剂价格高、稳定性不足、抗毒化能力较差,限制了燃料电池技术和金属空气电池技术的规模化应用。开发成本低廉、便于开采、催化活性高、稳定性良好的过渡金属基ORR催化剂已经是燃料电池和金属空气电池产业的主要目标之一。近年来,过渡金属（如Mo、Fe、Co、Ni、Mn、Cu等）基材料以其独特的电催化性能成为具有巨大开发潜力的高效电催化剂。在这些催化剂当中,含有镍的非贵金属电催化剂以其简单的合成方法、低廉的制造成本、优秀的催化活性、极佳的电化学稳定性和抗毒化性能,引起了我们的研究兴趣。本文将含镍非贵金属电催化剂作为研究重心,通过对原料与合成方法的探索与研究,讨论了含镍非贵金属电催化剂的组成、结构及形貌对电催化性能和电催化反应过程的影响。首先,对ORR过程、反应动力学、催化活性位点等要素进行了深入研究;其次,通过对反应机理和活性位点的解析,寻找合适的电催化剂结构,进而制备出具有特殊组成和形貌的含镍非贵金属电催化材料,并对这些催化剂进行物理表征和电化学测试,分析出催化剂的确切物理特性,实现对特定结构材料的可控合成。最后,通过原位电化学表面增强拉曼（SERS）技术,探索了几种不同非贵金属电催化材料的ORR催化路线和机理,讨论了这几种材料催化活性和机理之间的内在联系,对其它类似的电催化剂的合成提出了指导性理论预测。本文研究内容概括如下:（1）通过一步热解法制备了具有大量异质界面的二硫化三镍/二硫化钼（Ni3S2/MoS2）片层结构材料,并对碱性溶液中ORR催化性能进行了详细的研究。电化学研究结果显示,ORR起始电位为0.950 V,半波电位为0.885 V,极限电流密度为5.16 m A cm-2,电子转移数为4,材料具有很好的抗毒化能力和电化学稳定性。与不含Ni的MoS2材料相比,Ni3S2/MoS2异质催化剂具有更规则的纳米结构、更优秀的电子传输能力、更大的电化学活性面积,故而呈现出良好的ORR催化性能。（2）以三聚氰胺为模板制备了Ni3S2/Ni氮掺杂碳类石墨烯片层材料（Ni3S2/Ni-N/C）,系统研究了该材料的ORR催化性能。研究结果表明,ORR起始电位为0.945 V,极限电流密度为5.32 m A cm-2,即使被氧化后依然具有良好的电催化稳定性。Ni3S2/Ni-N/C特殊的结构特性、金属、硫化物和氮碳键的协同作用以及氮碳基底共同提升了材料的催化活性。（3）以规则的镍掺杂类沸石咪唑酯骨架材料-8（ZIF-8）为牺牲模板,合成了镍氮共掺杂介孔碳（Ni-N/C-NCs）纳米立方材料,研究了引入Ni对氮掺杂碳ORR性能的影响。电化学研究结果显示,在碱性条件下ORR起始电位为0.940V,半波电位为0.835 V,极限电流密度为6.61 m A cm-2,电子转移数为4,催化稳定性良好。与直接热解未掺杂镍ZIF-8形成的N/C纳米立方材料相比,Ni-N/C-NCs材料的ORR催化活性显着提高。进一步研究表明,Ni掺杂大幅提高了材料的比表面积、增加了活性位点数量与种类,碳纳米结构有效提升了材料的电子传输能力。（4）以掺入镍元素的含钴类沸石咪唑酯骨架材料-67（Ni-doped ZIF-67）为牺牲模板,热解制备了高质量的介孔钴镍氮共掺碳（Co&Ni@N/C）催化剂,初步探究了材料的ORR催化机制。Co&Ni@N/C催化剂具有独特的三维结构,其中N/C、金属态Co和Ni-Nx活性位点之间存在协同作用,使复合材料具有优异的碱性ORR催化活性和稳定性:起始电位为0.990 V,半波电位为0.895 V,极限电流密度为6.12 m A cm-2,电子转移数为3.9-4.0,催化稳定性良好。该材料各方面的催化性能均优于商业化Pt/C催化剂。（5）为了研究含镍非贵金属材料的ORR催化机制,我们采用原位电化学-表面增强拉曼（in situ SERS）技术研究了碱性环境中ORR电催化过程。以上述含镍非贵金属催化剂和Co氮共掺杂碳纳米立方（Co-N/C）作为实验组,进行了一系列的in situ SERS测试,通过对相关反应产物和中间体的解析,推断了各材料的ORR决速步骤和反应机理。最后,基于不同镍基材料的催化机理,为改善非贵金属材料的电催化性能提出了多种意见。
秦川[7]（2021）在《面向智能招聘的数据挖掘方法及其应用》文中认为在世界经济的快速发展中,人才一直是企业发展的最重要生产力。因此,企业均将人才招聘做为最重要的发展战略之一,并尝试开发智能化招聘系统来高效地吸引、识别、筛选优秀的人才。近年来,招聘网站的出现使得招聘市场从信息不对等偏向企业的卖方市场逐步向信息对等的供求市场演化,从而导致招聘市场上的竞争愈发激烈,给企业人才招聘带来了一系列全新的挑战。与此同时,飞速发展的数字化招聘系统与在线招聘网站积累了大量的招聘数据,这为智能招聘系统的发展提供了新的范式。目前,围绕智能招聘的相关研究方滋未艾,受到计算机、管理学及其相关交叉学科研究者的广泛关注。然而现有研究依旧面临着数据多源异构、算法缺乏可解释性以及相关学科交叉等挑战。为此,本文利用数据挖掘技术并结合管理学等交叉学科知识,围绕人才招聘中人才吸引、人才筛选、人才评估三个核心环节开展了系统性的研究工作。相关工作依托于百度人才智库平台,研究问题和数据源于实际招聘场景,研究成果均在真实招聘业务中部署和验证,具有很好的实际应用价值。本文主要贡献可以概括如下:第一,在人才吸引方面,通过挖掘分析海量招聘数据中岗位文本数据,提出基于能力感知的岗位需求文本自动生成方法,从而可以有效地预测出不同岗位的技能需求,帮助人力资源员工更高效地设计岗位需求文本,助力企业吸引合适的人才。具体地,首先提出了一个能力感知的神经主题模型,实现从海量的招聘数据中蒸馏出丰富的能力信息。然后设计了一个基于编码器-解码器结构的循环神经网络去实现岗位需求文本生成。为了保证生成结果可以全面地覆盖和该岗位相关并具有代表性的能力需求,进一步提出了能力感知下的注意力机制和复制机制来指导岗位需求生成过程。此外,设计了一种能力感知下的策略梯度训练算法来有效地提升生成的岗位需求的合理性和流畅度。最后,在两个采集于真实应用场景的招聘数据集中进行了大量实验,结果验证了所提方法可以有效地生成岗位需求文本,准确覆盖该岗位所需的相关技能,并且具有很好的可解释性。第二,在人才筛选方面,提出了基于技能感知下的人岗匹配模型,从而可以有效地衡量人才和岗位之间的匹配度,提升招聘筛选效率。具体地,首先基于循环神经网络设计了一个对岗位需求文本和求职者工作经历文本的词级别的语义表征模块。并且通过两个特殊设计的基于主题的能力感知下的层级别注意力机制,更为有效地捕捉岗位需求中的重要语义信息,以及评估对于特定岗位需求下不同工作经历的重要性。然后,基于历史招聘记录数据针对所提出的人岗匹配模型进一步设计了一种重训练机制,实现对匹配效果的提升。此外,本文将所提的模型应用到人才初筛和岗位推荐这两个具体的人才招聘任务中。最后,在一个采集于真实应用场景的招聘数据集中进行了大量的实验,其实验结果验证了所提模型在预测人才岗位匹配度上的准确性和预测结果的可解释性。第三,在人才评估方面,提出了专业技能导向的面试题库自动生成和智能检索算法,构建了一个智能面试官辅助工具帮助面试官高效地准备面试试题考察求职者。该系统首先实现了基于在线知识分享社区中蕴含的信息来大规模生成技能导向的面试试题。具体地,提出了一个新颖的远程监督下的技能实体识别方法,实现在少量人为数据标注的情景下对搜索引擎中包含的海量点击数据和网页标题数据高效地识别技能实体。并提出了一种基于神经网络的生成模型来生成技能导向的面试试题,其中设计了一种数据驱动下的高质量训练数据构建算法,以及一种新颖的训练方法来有效地提升面试试题生成的效果。该系统进一步实现基于搜索引擎中的点击搜索日志数据,构建一个推荐系统来帮助面试官检索合适的面试题。这里设计了一种基于图提升的试题推荐算法,从而可以针对面试官检索的一组技能高效地推荐合适的试题。最后,在采集于真实应用场景的数据集上分别有效地验证了所提方法在生成技能导向的面试试题质量和试题检索准确率这两方面的性能。第四,在人才评估方面,进一步提出了基于技能关系图的个性化笔试、面试试题推荐框架,从而实现对候选人能力的有效评估。该框架的核心是构建了一个工作技能的知识图,来全面建模人才评估中应该涉及的相关能力。具体地,首先构建了一个基于双向循环神经网络和条件随机场的模型实现对招聘数据中技能实体的抽取,通过设计了一种门机制来提升抽取效果。随后基于海量的搜索引擎中的点击数据,构建了一个新颖的标签传播算法,进一步提升了抽取到的技能实体的可靠性。然后通过设计一个基于多源内容特征下的分类模型来实现挖掘技能实体之间的上下位关系,来构建技能图。并且基于技能图设计了一种个性化的试题推荐算法,帮助提升人才评估效率。最后,在采集于真实应用场景的招聘数据上进行了大量的实验,其结果验证了所提框架每个组成部分的有效性。
王旭磊[8]（2021）在《液相硅熔渗制备金刚石/碳化硅复合材料及性能研究》文中研究表明金刚石/碳化硅复合材料具有热导率高、热膨胀系数低、半导体性能优异和密度低等优异的综合性能,适用于电子封装材料。本文针对无压渗硅制备金刚石/碳化硅复合材料尺寸不稳定和金刚石易石墨化等不足,重点对气相硅渗透和液相硅熔渗工艺进行优化,探究了复合材料多孔坯体的裂解特性,研究了金刚石含量和表面镀覆碳化硅对复合材料组织结构、热物理性能以及力学性能的影响,揭示了无压硅熔渗的过程机理和复合材料致密化机理。通过课题研究,解决了样品尺寸不稳定和金刚石易石墨化的难题,为复合材料在电子封装领域的应用奠定了基础,主要研究结果如下:（1）研究了金刚石/碳化硅复合材料多孔坯体的组织结构和物理性能,分析了坯体裂解纳米线的生长机理。结果表明:复合材料多孔坯体热解的过程中生成了 3C-SiC轴纳米线,直径约为15～35 nm。酚醛树脂裂解生成的多孔聚并苯和裂解气氛中残留的氧气促进了碳化硅的形成和纳米线的定向生长。金刚石颗粒间纳米线减小了多孔坯体的中值孔径,多孔聚并苯增加了多孔坯体的孔隙率,有利于后续硅熔渗致密化多孔坯体。（2）开展了气相硅渗透和液相硅熔渗的工艺优化研究。通过模具设计和工艺参数优化,气相硅渗透制备了金刚石/碳化硅复合材料,样品热导率为532.7 W/（m·K）,热膨胀系数为2.58ppm/K,密度为3.18 g/cm3。液相硅熔渗的模具设计和新型硅渗料的开发保证了样品的表面质量和尺寸稳定性,为近净成形奠定了基础。对比气相硅渗透,液相硅熔渗具有工艺稳定和样品尺寸可控等优点。液相硅熔渗制备的样品热导率为600.4 W/（m·K）,热膨胀系数为3.28 ppm/K,密度为3.23 g/cm3,相对密度达到99%以上。液相硅熔渗有效的控制了金刚石的石墨化程度,提高了复合材料的热导率。（3）研究了复合材料的组织结构以及无压硅熔渗的过程机理和复合材料致密化机理。结果表明:复合材料微观组织分布均匀,金刚石没有发生石墨化转变。金刚石表面侵蚀区存在纳米碳化硅。不同碳硅比影响碳化硅的形貌。液相硅熔渗制备复合材料的过程包含“气-液”混合渗。揭示了复合材料致密化机理可以分为三部分:1、金刚石表面的硅碳反应;2、碳化硅纳米线的形成;3、硅毛细作用填充。金刚石表面腐蚀区域存在纳米碳化硅相,与金刚石具有一定的取向关系。（4）研究了金刚石含量和表面改性对复合材料热物理性能的影响。结果表明:随着金刚石含量的增加,复合材料的热导率先增加后降低。当金刚石体积分数为60%时,复合材料的热导率达到最大值,镀碳化硅金刚石/碳化硅复合材料的热导率为545.9 W/（m·K）,未镀覆金刚石增强复合材料的热导率为581.8W/（m·K）。液相硅熔渗制备的复合材料中碳化硅三维网状结构形成了热传导的优先路径,复合材料热导率实验值略高于H-J模型和DEM模型预测值。复合材料热膨胀系数随温度升高逐渐增大,测试温度范围内,复合材料的热膨胀系数为1.0～3.25 ppm/K,能很好的与硅材料相匹配。复合材料热膨胀系数实验值与Kerner模型的上限值接近。（5）研究了金刚石含量和表面改性对复合材料弯曲强度的影响,对比分析了典型复合材料的性能优劣。金刚石镀覆改性后复合材料的弯曲强度提高了16.9%（Dia.60 vol.%）。当增强相含量为60 vol.%时,金刚石/碳化硅复合材料的弯曲强度达到了 407.56 MPa,是球形石墨/铜复合材料的1.24倍,是金刚石/铜复合材料的2.37倍。液相硅熔渗制备的金刚石/碳化硅复合材料弯曲强度均在200 MPa以上,能满足电子封装材料对弯曲强度的要求。建立了液相硅熔渗制备金刚石/碳化硅复合材料的工艺路线,液相硅熔渗具有设备要求低、易于控制、稳定性好和成本低等优点,能够制备性能优异的金刚石/碳化硅复合材料,具有优异性能的金刚石/碳化硅复合材料适用于电子封装材料。
刘人华[9]（2021）在《纳米片环栅场效应晶体管（NS-GAAFET）电热特性及建模研究》文中研究说明随着集成电路产业的飞速发展,在摩尔定律的推动下,纳米片环栅场效应晶体管（NS-GAAFET）以其优异的栅控能力和沟道宽度灵活可调的特征,有望取代FinFET成为未来工艺节点的核心器件。然而,受限于三维堆叠器件结构、锗硅等材料的引入以及薄层材料热导率退化等机制的共同作用,NS-GAAFET器件的散热能力减弱,恶化了器件的自热效应。不仅如此,器件特征尺寸缩减、芯片集成度提高使其功率密度增大,温度进一步升高,从而导致器件电学特性退化、可靠性恶化,进而使得芯片性能下降,寿命缩减。因此,面向未来集成电路产业应用,研究NS-GAAFET器件电热特性对2～5nm工艺节点高性能、高可靠性集成电路设计具有重要的指导意义。本论文针对深纳米工艺节点下的NS-GAAFET器件的电热联合优化设计,从电热耦合计算的实现、电热特性的结构依赖性、器件结构优化、热耦合分离模型及其计算方法、通道热迭代算法、紧凑模型提取以及电路性能分析等方面展开深入研究。主要研究内容及结果如下:第一,搭建5nm工艺节点NS-GAAFET器件结构,实现数值计算与实验数据的校准,研究电热特性的结构依赖性。数值计算结果表明:（1）受到锗硅低热导率的影响,P型器件的自热效应远比N型器件严重,峰值工作温度比N型器件高出44.16 K,造成的开态电流的退化量为N型器件的2倍;（2）沟道宽度、厚度及有效沟道长度的增加、沟道堆叠数量的减小、侧墙材料热导率的增加、外界温度的降低以及漏端一侧局部后道互连区域金属通孔密度的提高都有利于改善器件的热学性能。第二,针对5nm工艺节点NS-GAAFET器件,提出一种新型双层环绕侧墙结构,使用高热导率内层侧墙和高介电常数外层侧墙的组合可实现多通道NS-GAAFET器件的电热折中优化。数值计算结果表明,当内层侧墙为3nm时,对于N型器件,与HfO2单层侧墙器件相比,器件的开关比增加了82.27%,热阻减小了14.29%,对于P型器件,开关比提高了42.67%,热阻降低了45.35%,证明该新型结构能够实现器件的热学性能的优化,并提升器件的开关特性。第三,提出NS-GAAFET器件热耦合分离模型及计算方法和通道热迭代算法。结果表明:（1）基于单层和双层硅沟道提取结构分离出的焦耳热阻和耦合热阻,结合热阻矩阵理论预测的N型和P型器件沟道温度与数值计算的最大误差分别为2.7%和4.1%;（2）沟道层间距的减小、SOI衬底的使用以及沟道堆叠数量的增加,都会加剧器件的热耦合效应;（3）基于通道热迭代算法,N型体硅衬底和SOI衬底器件公式模型的最大计算误差分别为5.46%和5.89%,验证了公式模型的准确性。第四,基于器件电热数值计算结果及BSIM-CMG紧凑模型,建立NS-GAAFET器件电热参数的提取流程,并对基本逻辑单元和SRAM单元电路进行电热分析。计算结果显示:（1）N型和P型器件开态电流的提取误差分别为0.005%和0.006%,峰值工作温度的误差分别为0.002%和0.007%;（2）自热效应使反相器的最大直流增益退化了16.23%,且自热效应导致的传输延迟时间退化量也随着负载电容的增大而不断增加;（3）受到逻辑翻转过程中电容充放电加剧的自热效应的影响,其他逻辑电路的上升时间和下降时间都有所增加,其中,传输门电路的退化尤为明显;（4）受到传输管性能退化的影响,SRAM单元电路的写延迟时间受到自热效应的影响最为显着,退化量为11.3%。本论文工作主要涵盖深纳米工艺代NS-GAAFET器件的电热特性分析、结构优化、热耦合分离模型及其计算、通道热迭代算法和紧凑模型等研究,对NS-GAAFET器件的电热优化、电路电热联合优化设计以及高性能、高可靠性集成电路设计具有重要的产业应用价值。
曹宜力[10]（2021）在《RE2Fe17基化合物的磁结构与负热膨胀（RE：稀土元素）》文中指出稀土磁性合金因其独特的磁性能而被人们广泛关注,如永磁性、磁致伸缩性、磁体积和磁卡效应等。对材料微观磁结构的认识有助于理解宏观的磁性能。RE2Fe17基化合物作为经典的稀土永磁合金体系之一,其独特的磁结构和自旋晶格耦合关系一直是人们关注的热点。本论文紧密围绕负热膨胀性,设计并制备了一系列不同化学组成的RE2Fe17基化合物;系统地研究了其晶体结构、磁结构与热膨胀的关联,深入探索了复杂的自旋晶格耦合关系,定量描述了其与热膨胀调控之间的关系;发现一系列具有优异零热膨胀性能的RE2Fe17基化合物,这不仅有助于理解RE2Fe17基化合物的相关磁性能,也为认识稀土磁性合金的负热膨胀性提供基础。首先通过优化Fe、Co的成分,得到了一系列具有宽温区零热膨胀的RE2（Fe,Co）17金属间化合物。其中,Ho2Fe16Co的零热膨胀温区为3-461 K,为目前已报道最宽的磁性零热膨胀温区的两倍。结合原位中子衍射,低温Mossbauer谱和第一性原理计算等手段,揭示了在磁有序-无序转变下,Fe亚晶格中3d电子成键状态的变化会导致额外晶格膨胀,而低浓度Co的替代控制着作用于Fe-亚晶格的磁性分子场,从而拓宽磁有序温度区间,实现RE2（Fe,Co）17金属间化合物热膨胀的连续调控。采用非磁性主族元素Al替代Fe,设计并合成了 Ho2（Fe,Al）17系列固溶化合物。X射线衍射观察到Ho2（Fe,Al）17在不同Al浓度下晶体结构变化,低浓度时呈现六方结构,高浓度时呈现菱形结构,中间浓度下呈现两相共存区。Ho2Fe11Al6化合物的磁化强度在低温出现反常现象,晶格表现为零热膨胀,变温中子衍射的研究表明由于低温下Ho和Fe亚晶格的总磁矩大小相近方向相反,Ho2Fe11Al6化合物总磁矩接近为零。随着温度升高,Ho和Fe亚晶格的总磁矩削弱的速率不匹配使得总磁矩在220 K附近出现峰值。通过在稀土 RE位引入空位调控Lu2x□xFe17化合物中稀土与铁的原子比,实现磁结构变化。常温同步辐射X射线衍射确定了过多的铁原子会以“哑铃型”原子对的形式固溶到晶格当中,磁性测试表明随着铁原子浓度的增加,Lu2-x□xFe17化合物的磁结构会发生明显变化,变温中子衍射清晰地解析了这一新颖的螺旋磁结构:同一面内的铁原子磁矩方向相同,但是对于沿着c方向的相邻原子层,磁矩方向存在一定的夹角。中子衍射的精修结果表明由铁原子浓度带来的磁结构变化对Lu2-x□xFe17化合物的负热膨胀性影响很小,而变温过程中磁有序程度的变化与负热膨胀关联密切。最后,在非化学计量比Lu1.7Fe17中引入同样非磁性稀土元素Y,研究了（Lu,Y）1.7Fe17化合物在不同稀土组分下的磁结构和热膨胀。磁性测量结果表明,随着Y元素的替代,Lu1.7Fe17中原有螺旋磁结构的温度区间逐渐缩减直至消失,负热膨胀性同时也逐渐削弱。变温中子衍射和同步辐射X射线衍射揭示了螺旋磁结构的出现与c轴负热膨胀存在直接关联,并确定了临界的单胞参数c和温度,构建了不同稀土成分下（Lu,Y）1.7Fe17化合物的磁相图。
二、Lattice发布新一代ispLEVER~(TM)设计工具（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Lattice发布新一代ispLEVER~(TM)设计工具（论文提纲范文）
（1）高温下（ZrTaNbTi）C热性能和力学性能的密度泛函理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号说明 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 高熵合金材料 |
| 1.1.1 高熵的概念 |
| 1.1.2 高熵合金的四大效应 |
| 1.1.3 高熵合金的性能与应用 |
| 1.2 高熵化合物 |
| 1.3 弹性性能 |
| 1.4 热力学性能 |
| 1.5 选题意义及其研究内容 |
| 1.5.1 选题意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 理论基础及研究方法 |
| 2.1 高熵陶瓷的原子构型方法 |
| 2.2 密度泛函理论 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi模型 |
| 2.2.2 密度泛函理论的基础 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 |
| 2.2.4 交换关联泛函 |
| 2.3 密度泛函微扰理论 |
| 2.4 计算软件介绍 |
| 2.4.1 ATAT程序介绍 |
| 2.4.2 VASP程序介绍 |
| 2.4.3 PHONOPY程序介绍 |
| 2.4.4 SC-QHA程序介绍 |
| 2.4.5 GIBBS2 程序介绍 |
| 第三章 (ZrTaNbTi)C的热力学性质的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 理论与计算方法 |
| 3.2.1 DFT计算原理 |
| 3.2.2 热力学计算原理 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 (ZrTaNbTi)C的结构稳定性 |
| 3.3.2 (ZrTaNbTi)C的结构优化 |
| 3.3.3 热力学性质 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 (ZrTaNbTi)C力学性质的温度依赖性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 理论与计算方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 基态结构 |
| 4.3.2 零温下的力学性质 |
| 4.3.3 电子结构 |
| 4.3.4 弹性性能的温度依赖性 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 论文总结 |
| 5.2 研究展望 |
| 5.3 主要创新点 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间发表的论文 |
（2）多场景可见光通信信道损伤与系统设计研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.1.1 VLC技术特点 |
| 1.1.2 VLC应用前景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 信道模型的研究现状 |
| 1.2.2 实时系统与样机的研究现状 |
| 1.3 本论文的研究内容和结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 多场景可见光通信信道理论基础 |
| 2.1 多场景可见光信道特性 |
| 2.1.1 信道损伤 |
| 2.1.2 衡量指标 |
| 2.2 噪声来源及特性分析 |
| 2.2.1 光域噪声 |
| 2.2.2 电域噪声 |
| 2.3 吸收散射特性分析 |
| 2.3.1 海水吸收效应 |
| 2.3.2 海水散射效应 |
| 2.3.3 海水水体特性细分 |
| 2.4 湍流衰落特性分析 |
| 2.4.1 湍流信道模型 |
| 2.4.2 通信性能分析 |
| 参考文献 |
| 第三章 水下可见光通信仿真平台与样机设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 系统模型及仿真平台设计 |
| 3.2.1 光子追踪算法流程 |
| 3.2.2 背景光噪声计算 |
| 3.2.3 GUI界面设计 |
| 3.3 信道损伤与系统性能分析 |
| 3.3.1 时延展宽特性分析 |
| 3.3.2 空间光强分布特性分析 |
| 3.3.3 空间统计性衰减特性分析 |
| 3.3.4 浅水域强背景光下误码率特性分析 |
| 3.4 仿真与样机测试结果对比 |
| 3.4.1 样机总体设计原则 |
| 3.4.2 链路衰减仿真与实测 |
| 3.4.3 最大通信距离估算 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 室外背景光噪声抑制与船间自动识别系统设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于FPGA的室外可见光通信自适应滤波算法实现 |
| 4.2.1 自适应滤波算法原理 |
| 4.2.2 系统搭建与测试结果 |
| 4.3 基于改进型聚类算法的船间光通信自动识别系统设计 |
| 4.3.1 光莫尔斯码表征与抖动控制 |
| 4.3.2 改进型聚类算法 |
| 4.3.3 系统模型与自动识别方案设计 |
| 4.3.4 基于跳变电平位置的纠错方案设计 |
| 4.3.5 光莫尔斯解码与精度计算 |
| 4.3.6 离线仿真与原型机实验结果 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 室内大规模可见光反向散射通信网络性能分析 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 反向散射通信原理性测试 |
| 5.2.1 反向散射原理 |
| 5.2.2 LCD性能测试 |
| 5.3 VL-BackCom网络模型架构 |
| 5.3.1 网络拓扑与信道模型 |
| 5.3.2 VL-BackCom系统与性能指标 |
| 5.4 VL-BackCom网络性能分析 |
| 5.4.1 网络中断概率分析 |
| 5.4.2 累积干扰特征分析 |
| 5.4.3 VL-BackCom成功传输概率分析 |
| 5.4.4 VL-BackCom传输容量分析 |
| 5.4.5 仿真结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 工作总结与展望 |
| 6.1 论文工作总结 |
| 6.2 前景与展望 |
| 附录 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
（3）基于GPU的晶格Boltzmann方法并行算法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文的主要内容 |
| 1.4 论文的组织结构 |
| 第2章 晶格Boltzmann方法与CUDA |
| 2.1 晶格Boltzmann方法简介 |
| 2.2 通用图形处理器及CUDA |
| 2.2.1 通用图形处理器背景 |
| 2.2.2 CUDA设计模型 |
| 2.2.3 CUDA编程模型 |
| 2.2.4 性能优化 |
| 2.3 小结 |
| 第3章 基于峰值性能百分比分析法的GPU并行优化 |
| 3.1 背景 |
| 3.2 工具、方法与策略 |
| 3.2.1 Nsight Family性能分析工具 |
| 3.2.2 峰值性能百分比分析法 |
| 3.2.3 基本优化原则及策略 |
| 3.3 性能分析与程序优化 |
| 3.3.1 内存布局优化 |
| 3.3.2 内核融合优化 |
| 3.3.3 共享内存优化 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 复杂几何模拟的高效GPU并行方案 |
| 4.1 背景 |
| 4.1.1 双分布函数的晶格Boltzmann模型 |
| 4.1.2 眼前节流场的三维建模 |
| 4.2 实现 |
| 4.2.1 典型方案 |
| 4.2.2 循环指针寻址方案 |
| 4.3 结果 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
（4）软X射线谱学显微实验技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 同步辐射及其性质 |
| 1.3 同步辐射光源的发展 |
| 1.4 同步辐射技术的显微成像方法简介 |
| 1.4.1 全场透射X射线显微镜 |
| 1.4.2 扫描透射X射线显微镜 |
| 1.4.3 X射线全息成像 |
| 1.4.4 X射线光电发射电子显微镜 |
| 1.5 本文研究的内容和意义 |
| 第2章 扫描透射X射线显微镜 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 STXM的原理 |
| 2.2.1 成像原理 |
| 2.2.2 光学密度 |
| 2.2.3 空间分辨率 |
| 2.3 STXM的国内外发展现状 |
| 2.3.1 国际上主要的STXM |
| 2.3.2 国际上的STXM控制软件 |
| 2.4 STXM的方法学 |
| 2.4.1 点谱扫描 |
| 2.4.2 能量堆栈 |
| 2.4.3 扫描相干衍射成像 |
| 2.4.4 纳米计算层析扫描 |
| 2.4.5 焦点堆栈成像 |
| 2.5 小结 |
| 第3章 双向扫描方法的STXM实验站的实现 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 双向扫描方法介绍 |
| 3.3 硬件设备的实现 |
| 3.3.1 X射线聚焦机构 |
| 3.3.2 级选光阑系统 |
| 3.3.3 样品扫描机构 |
| 3.3.4 探测器系统 |
| 3.3.5 系统震动抑制机构 |
| 3.4 实验站控制系统的实现 |
| 3.4.1 数据获取部分 |
| 3.4.2 扫描控制部分 |
| 3.4.3 可视化操作界面软件 |
| 3.5 数据的后期处理 |
| 3.6 实验站测试和实验结果 |
| 3.6.1 原始STXM实验结果 |
| 3.6.2 处理后的实验结果 |
| 3.6.3 空间分辨率的量化分析 |
| 3.6.4 辐射剂量分析 |
| 3.7 小结 |
| 第4章 Ptychography的重构软件开发和应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 工作概述 |
| 4.1.2 加拿大光源SM线站 |
| 4.1.3 加拿大光源的Ptychography技术 |
| 4.2 SM线站实验条件的改进 |
| 4.2.1 聚焦模式的研究 |
| 4.2.2 离焦模式的研究 |
| 4.2.3 其它研究 |
| 4.3 可视化数据重构软件 |
| 4.3.1 软件算法 |
| 4.3.2 软件主界面 |
| 4.3.3 堆栈分析设置界面 |
| 4.3.4 观察窗界面 |
| 4.3.5 图像查看器界面 |
| 4.3.6 图像计算器界面 |
| 4.4 SM线站Ptychography技术和重构软件的测试 |
| 4.4.1 传统STXM与Ptychography对比实验 |
| 4.4.2 Ptychography能量堆栈实验 |
| 4.5 高镍富锂阴极颗粒降解机理的研究 |
| 4.6 小结 |
| 第5章 高信噪比的软X射线吸收谱测量系统的实现 |
| 5.1 引言 |
| 5.1.1 研究简介 |
| 5.1.2 实验物理和工业控制系统EPICS |
| 5.2 硬件装置 |
| 5.2.1 数据计数板卡 |
| 5.2.2 伏频转换器 |
| 5.2.3 预放大器 |
| 5.3 控制系统 |
| 5.4 XAS测量系统的具体实现方式 |
| 5.4.1 光束线部分 |
| 5.4.2 实验站部分 |
| 5.4.3 测量过程 |
| 5.5 图形化操作界面软件 |
| 5.6 实验和测试 |
| 5.7 小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（5）高电荷镍离子光钟体系原子性质的理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 人类计时方式的演变 |
| 1.2 原子频标 |
| 1.2.1 原子钟(微波钟) |
| 1.2.2 原子光钟 |
| 1.2.3 原子光钟的应用和发展方向 |
| 1.3 高电荷离子光钟 |
| 1.4 高电荷镍离子光钟的研究现状及前景 |
| 1.5 行文安排 |
| 第2章 多组态Dirac-Hartree-Fock方法 |
| 2.1 Dirac-Coulomb哈密顿量 |
| 2.2 组态波函数 |
| 2.3 变分方法 |
| 2.3.1 变分原理 |
| 2.3.2 单组态波函数的变分——Dirac-Hartree-Fock方程 |
| 2.3.3 多组态波函数的变分——多组态Dirac-Hartree-Fock方程 |
| 2.4 相对论组态相互作用方法(RCI) |
| 2.4.1 Breit相互作用 |
| 2.4.2 量子电动力学(QED)效应修正 |
| 第3章 光钟相关的原子性质 |
| 3.1 钟跃迁的基本条件 |
| 3.2 钟跃迁对精细结构常数变化的敏感程度 |
| 3.3 超精细相互作用 |
| 3.4 原子的电四极矩 |
| 3.5 超精细能级的Zeeman效应 |
| 3.6 超精细相互作用诱导的朗德g因子 |
| 3.7 超精细相互作用诱导的电四极矩 |
| 第4章 高电荷镍离子钟跃迁谱线的计算 |
| 4.1 计算模型 |
| 4.1.1 电子关联的分类 |
| 4.1.2 一阶关联 |
| 4.1.3 高阶关联 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 钟跃迁相关态的能量本征值 |
| 4.2.2 钟跃迁的波长 |
| 4.2.3 跃迁几率和钟态寿命 |
| 4.2.4 钟跃迁的自然线宽和品质因子 |
| 4.2.5 钟跃迁对精细结构常数变化的敏感度 |
| 4.3 小结 |
| 第5章 高电荷镍离子钟跃迁态超精细结构、朗德g因子和电四极矩的精确确定 |
| 5.1 计算模型 |
| 5.2 超精细相互作用常数 |
| 5.3 朗德g因子 |
| 5.4 电四极矩 |
| 5.5 钟跃迁的电四极频移 |
| 5.6 钟跃迁的Zeeman频移 |
| 5.7 小结 |
| 第6章 超精细相互作用对钟态朗德g因子的影响 |
| 6.1 铝离子和锶原子钟跃迁诱导机制的理论分析 |
| 6.2 超精细相互作用对nsnp ~3P_0~o态的g因子的影响 |
| 6.3 ~(27)Al~+离子钟 |
| 6.3.1 计算模型 |
| 6.3.2 Al~+离子3s3p ~(3,1)P_1~o态的g因子 |
| 6.3.3 ~(27)Al~+离子3s3p ~3P_0~o态的g因子 |
| 6.4 ~(87)Sr原子光晶格钟 |
| 6.4.1 计算模型 |
| 6.4.2 Sr原子5s5p ~(3,1)P_1~o态的g因子 |
| 6.4.3 ~(87)Sr原子5s5p ~3P_0~o态的g因子 |
| 6.5 小结 |
| 第7章 超精细相互作用对~(61)Ni~(12+)离子钟跃迁态朗德g因子和电四极矩的影响 |
| 7.1 ~(61)Ni~(12+)离子中超精细相互作用诱导机制的理论分析 |
| 7.1.1 对钟态电四极矩的影响 |
| 7.1.2 对钟态g因子的影响 |
| 7.2 计算模型 |
| 7.3 结果讨论 |
| 7.3.1 ~(61)Ni~(12+)离子3s~23p~4 ~3P_0态的电四极矩 |
| 7.3.2 ~(61)Nj~(12+)离子3s~23p~4 ~3P_(0,1,2)态的g因子 |
| 7.4 小结 |
| 第8章 总结与展望 |
| 8.1 总结 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
| 致谢 |
（6）镍基氧还原电催化剂的设计合成与性能研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 燃料电池 |
| 1.2.1 燃料电池概述 |
| 1.2.2 氧还原反应催化剂 |
| 1.2.3 氧还原反应的主要参数和指标 |
| 1.3 氧还原反应机理研究 |
| 1.3.1 氧还原反应过程基本机理 |
| 1.3.2 二电子过程 |
| 1.3.3 四电子过程 |
| 1.4 镍基电催化材料 |
| 1.4.1 镍硫化物 |
| 1.4.2 氧化镍/氢氧化镍 |
| 1.4.3 镍-碳材料 |
| 1.4.4 其它含镍材料(氮化镍、硒化镍、碲化镍) |
| 1.5 本论文的选题依据、研究内容与意义 |
| 第2章 二维Ni_3S_2/MoS_2异质界面的设计合成及ORR性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 试剂 |
| 2.2.2 样品制备 |
| 2.2.3 样品表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 Ni_3S_2/MoS_2的物理表征和分析 |
| 2.3.2 Ni_3S_2/MoS_2电催化ORR性能研究 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 类石墨烯Ni_3S_2/Ni-N/C的设计合成与ORR性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 试剂及材料合成所需主要仪器设备 |
| 3.2.2 样品制备 |
| 3.2.3 样品表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 Ni_3S_2/Ni-N/C的物理表征和分析 |
| 3.3.2 Ni_3S_2/Ni-N/C电催化ORR性能研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 高介孔比例镍氮共掺杂碳纳米立方的制备及ORR性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 试剂 |
| 4.2.2 样品制备 |
| 4.2.3 样品表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Ni-N/C-NCs的物理表征和分析 |
| 4.3.2 Ni-N/C-NCs电催化ORR性能研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 介孔镍钴共掺杂氮碳纳米立方的合成及ORR性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 试剂 |
| 5.2.2 样品制备 |
| 5.2.3 样品表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 Co&Ni@N/C的物理表征和分析 |
| 5.3.2 Co&Ni@N/C的电催化ORR性能研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 过渡金属材料ORR电催化机理初探:原位电化学-表面增强拉曼光谱研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 试剂 |
| 6.2.2 样品制备 |
| 6.2.3 样品表征 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 Co-N/C原位电化学SERS研究 |
| 6.3.2 Co&Ni@N/C原位电化学SERS研究 |
| 6.3.3 Ni_3S_2/Ni-N/C原位电化学SERS研究 |
| 6.3.4 Ni-N/C-NCs原位电化学SERS研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及科研成果 |
| 致谢 |
（7）面向智能招聘的数据挖掘方法及其应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 本研究工作面临的主要挑战 |
| 1.3 国内外发展现状 |
| 1.3.1 人才吸引 |
| 1.3.2 人才筛选 |
| 1.3.3 人才评估 |
| 1.4 研究内容与主要贡献 |
| 1.5 组织结构 |
| 第2章 基于技能预测的岗位需求文本自动生成 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 相关工作 |
| 2.2.1 招聘分析 |
| 2.2.2 自然语言生成 |
| 2.2.3 概率主题模型 |
| 2.3 问题定义 |
| 2.4 基于技能预测的岗位需求自动生成框架(Cajon) |
| 2.4.1 能力感知下的神经主题模型(CANTM) |
| 2.4.2 能力感知下的岗位需求生成神经模型(CANJRG) |
| 2.4.3 能力感知下的策略梯度训练算法(CAPGTA) |
| 2.5 实验分析 |
| 2.5.1 实验数据 |
| 2.5.2 训练参数与环境设置 |
| 2.5.3 基准算法 |
| 2.5.4 评价指标 |
| 2.5.5 实验结果及分析 |
| 2.5.6 生成示例研究与讨论 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 基于技能感知的人岗匹配 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 相关工作 |
| 3.2.1 人岗匹配分析 |
| 3.2.2 基于深度学习的文本分类与匹配 |
| 3.2.3 基于文本信息的推荐算法 |
| 3.3 问题定义 |
| 3.4 基于技能感知的人岗匹配框架(TAPJFNN)描述 |
| 3.4.1 词级别招聘文本表征 |
| 3.4.2 基于主题的技能感知的层级别表征 |
| 3.4.3 人岗匹配预测 |
| 3.5 人岗匹配的应用 |
| 3.5.1 人才初筛 |
| 3.5.2 岗位推荐 |
| 3.6 实验分析 |
| 3.6.1 实验数据 |
| 3.6.2 训练参数与环境设置 |
| 3.6.3 基准算法 |
| 3.6.4 评价指标 |
| 3.6.5 人才初筛实验结果及分析 |
| 3.6.6 岗位推荐实验结果及分析 |
| 3.6.7 引入非文本特征的结果与讨论 |
| 3.6.8 案例分析与讨论 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 专业技能导向的面试题库自动生成和试题检索 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 相关工作 |
| 4.2.1 智能面试辅助 |
| 4.2.2 技能实体识别 |
| 4.2.3 文本生成 |
| 4.3 技能导向试题生成框架描述 |
| 4.3.1 远程监督下的技能识别 |
| 4.3.2 面试试题生成 |
| 4.4 技能导向的试题检索算法描述 |
| 4.4.1 技能推荐 |
| 4.4.2 面试试题检索 |
| 4.5 技能导向试题生成实验结果分析 |
| 4.5.1 技能实体识别的性能分析 |
| 4.5.2 问题生成的性能分析 |
| 4.6 技能导向检索算法实验结果分析 |
| 4.6.1 技能推荐的性能分析 |
| 4.6.2 试题检索的性能分析 |
| 4.6.3 案例分析和讨论 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 基于技能关系图的个性化笔试、面试试题推荐 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 相关工作 |
| 5.2.1 智能人才评估 |
| 5.2.2 实体抽取和关系抽取 |
| 5.3 DuerQuiz框架描述 |
| 5.3.1 技能实体抽取 |
| 5.3.2 技能实体过滤 |
| 5.3.3 技能关系抽取 |
| 5.3.4 个性化问题推荐 |
| 5.4 技能图构建性能分析 |
| 5.4.1 技能实体抽取的性能分析 |
| 5.4.2 技能实体过滤的性能分析 |
| 5.4.3 技能关系抽取的性能分析 |
| 5.5 试题推荐的性能分析 |
| 5.6 案例分析和讨论 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 未来研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
（8）液相硅熔渗制备金刚石/碳化硅复合材料及性能研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述及选题意义 |
| 2.1 电子封装材料 |
| 2.2 常见的电子封装材料 |
| 2.2.1 树脂类电子封装材料 |
| 2.2.2 金属类电子封装材料 |
| 2.2.3 陶瓷类电子封装材料 |
| 2.3 电子封装材料中金刚石的应用研究 |
| 2.3.1 金刚石的特性 |
| 2.3.2 金刚石增强树脂基复合材料 |
| 2.3.3 金刚石增强铝基复合材料 |
| 2.3.4 金刚石增强铜基复合材料 |
| 2.4 金刚石/碳化硅复合材料 |
| 2.5 金刚石/碳化硅复合材料的制备方法 |
| 2.5.1 高温高压烧结法 |
| 2.5.2 先驱体转化法 |
| 2.5.3 真空放电等离子烧结法 |
| 2.5.4 热等静压烧结法 |
| 2.5.5 渗透法 |
| 2.6 金刚石/碳化硅复合材料的研究现状 |
| 2.7 选题背景及意义 |
| 3 研究内容及技术路线 |
| 3.1 研究内容 |
| 3.1.1 金刚石/碳化硅复合材料坯体特性研究 |
| 3.1.2 硅渗透过程中金刚石石墨化的研究 |
| 3.1.3 硅渗透过程中复合材料致密化的研究 |
| 3.1.4 金刚石/碳化硅复合材料性能的研究 |
| 3.1.5 金刚石/碳化硅复合材料的制备工艺及参数优化 |
| 3.1.6 典型复合材料性能对比分析 |
| 3.2 复合材料试验表征方法 |
| 3.2.1 密度及相对密度表征 |
| 3.2.2 孔隙度表征 |
| 3.2.3 热导率表征 |
| 3.2.4 热膨胀系数表征 |
| 3.2.5 力学性能表征 |
| 3.2.6 显微结构及物相分析 |
| 3.3 金刚石/碳化硅复合材料制备技术路线 |
| 4 多孔硅渗透坯体制备及特性研究 |
| 4.1 多孔硅渗透坯体制备 |
| 4.2 多孔硅渗透坯体特性 |
| 4.2.1 多孔坯体的微观结构及成分分布 |
| 4.2.2 多孔坯体物理性能研究 |
| 4.2.3 纳米线生成机理分析 |
| 4.3 本章内容小结 |
| 5 金刚石/碳化硅复合材料渗硅工艺优化 |
| 5.1 金刚石石墨化研究 |
| 5.2 气相硅渗透模具设计及工艺参数优化 |
| 5.2.1 气相硅渗透模具改进 |
| 5.2.2 气相硅渗透工艺参数优化 |
| 5.2.3 气相硅渗透机理分析 |
| 5.3 液相硅熔渗模具设计及工艺参数优化 |
| 5.3.1 液相硅熔渗模具改进 |
| 5.3.2 液相硅熔渗工艺参数优化 |
| 5.3.3 液相硅熔渗机理分析 |
| 5.4 本章内容小结 |
| 6 金刚石/碳化硅复合材料的组织形貌及致密化研究 |
| 6.1 镀碳化硅金刚石的制备 |
| 6.2 金刚石/碳化硅复合材料中各组分体积分数的确定 |
| 6.3 金刚石/碳化硅复合材料的制备 |
| 6.4 金刚石/碳化硅复合材料成分及典型微观形貌 |
| 6.4.1 金刚石/碳化硅复合材料成分分析 |
| 6.4.2 金刚石/碳化硅复合材料典型微观形貌 |
| 6.5 金刚石/碳化硅复合材料致密化机理 |
| 6.6 本章内容小结 |
| 7 金刚石/碳化硅复合材料性能研究 |
| 7.1 金刚石/碳化硅复合材料导热系数 |
| 7.1.1 典型复合材料导热系数对比 |
| 7.2 金刚石/碳化硅复合材料热导率模型分析 |
| 7.3 金刚石/碳化硅复合材料热膨胀系数 |
| 7.3.1 典型复合材料热膨胀系数对比 |
| 7.4 金刚石/碳化硅复合材料热膨胀系数模型分析 |
| 7.5 金刚石/碳化硅复合材料的弯曲强度 |
| 7.5.1 典型复合材料弯曲强度对比 |
| 7.6 本章内容小结 |
| 8 结论与展望 |
| 8.1 结论 |
| 8.2 展望 |
| 主要创新点 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（9）纳米片环栅场效应晶体管（NS-GAAFET）电热特性及建模研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 纳米级器件的自热效应概述 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 国外研究现状 |
| 1.3.2 国内研究现状 |
| 1.3.3 问题与挑战 |
| 1.4 选题意义与研究内容 |
| 1.4.1 论文选题及意义 |
| 1.4.2 主要内容与结构 |
| 第二章 NS-GAAFET器件电热耦合计算实现 |
| 2.1 载流子传输方程 |
| 2.1.1 漂移-扩散模型 |
| 2.1.2 热力学模型 |
| 2.1.3 电热方程耦合计算 |
| 2.2 纳米级器件的电热参数退化模型 |
| 2.2.1 纳米尺度下载流子迁移率的退化模型 |
| 2.2.2 纳米尺度下半导体热导率的退化模型 |
| 2.3 电热耦合计算实现 |
| 2.3.1器件结构介绍 |
| 2.3.2仿真边界条件设置 |
| 2.3.3NS-GAAFET器件计算校准 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 NS-GAAFET器件电热特性研究 |
| 3.1 NS-GAAFET器件基本热性能研究 |
| 3.1.1 N型器件热性能研究 |
| 3.1.2 P型器件热性能研究 |
| 3.2 NS-GAAFET器件电热特性的结构依赖性研究 |
| 3.2.1 片状沟道尺寸对电热特性的影响 |
| 3.2.2 片状沟道垂直堆叠数量对电热特性的影响 |
| 3.2.3 侧墙结构对电热特性的影响 |
| 3.3 热边界条件对NS-GAAFET器件电热特性的影响研究 |
| 3.3.1 外界温度对电热特性的影响 |
| 3.3.2 后道互连线等效热阻对自热效应的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 NS-GAAFET器件热耦合效应及建模研究 |
| 4.1 NS-GAAFET器件沟道温度分布研究 |
| 4.2 NS-GAAFET器件热分离方法研究 |
| 4.2.1 用于热分离的晶体管结构设计 |
| 4.2.2 热阻提取方法及沟道温度预测方法研究 |
| 4.2.3 沟道温度预测结果验证及分析 |
| 4.3 热耦合效应的结构依赖性研究 |
| 4.3.1 沟道层间距对热耦合效应的影响研究 |
| 4.3.2 衬底结构对热耦合效应的影响研究 |
| 4.3.3 片状沟道堆叠数量对热耦合效应的影响研究 |
| 4.4考虑热耦合效应的多沟道堆叠器件公式模型研究 |
| 4.4.1 通道热迭代算法研究 |
| 4.4.2 考虑热耦合效应的公式模型建立及验证 |
| 4.5本章小结 |
| 第五章 NS-GAAFET紧凑模型及电路热性能研究 |
| 5.1 基于BSIM-CMG紧凑模型的电热参数提取 |
| 5.1.1 基本电学模型参数提取 |
| 5.1.2 温度及自热效应模型参数提取 |
| 5.1.3 模型计算结果 |
| 5.2 基于BSIM-CMG紧凑模型的基本电路单元自热效应研究 |
| 5.2.1 基本逻辑单元的自热效应研究 |
| 5.2.2 六管SRAM存储单元的自热效应研究 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 博士在读期间科研成果 |
| 致谢 |
（10）RE2Fe17基化合物的磁结构与负热膨胀（RE：稀土元素）（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 磁性材料及其相关物理性能 |
| 2.1.1 物质的磁性与磁结构 |
| 2.1.2 材料的磁致伸缩性 |
| 2.1.3 材料的磁体积效应 |
| 2.2 热膨胀与负热膨胀 |
| 2.2.1 热膨胀本质 |
| 2.2.2 负热膨胀 |
| 2.3 稀土磁性负热膨胀合金的类型 |
| 2.3.1 RECo_2基磁致伸缩合金 |
| 2.3.2 LaFe_(13)基磁制冷合金 |
| 2.3.3 RE_2Fe_(14)B基永磁合金 |
| 2.3.4 REFe_(12)基永磁合金 |
| 2.4 RE_2Fe_(17)基化合物 |
| 2.4.1 RE_2Fe_(17)基化合物的结构 |
| 2.4.2 RE_2Fe_(17)基化合物的负热膨胀研究现状 |
| 2.5 本课题的研究内容和意义 |
| 3 RE_2Fe_(17)基化合物的制备与研究方法 |
| 3.1 合成方法 |
| 3.2 研究方法概述 |
| 3.2.1 表观热膨胀系数的测定 |
| 3.2.2 材料磁性的测定 |
| 3.2.3 粉末X射线衍射 |
| 3.2.4 中子衍射 |
| 3.2.5 其它研究方法 |
| 4 RE_2(Fe,Co)_(17)化合物宽温区零热膨胀性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品的合成与表征 |
| 4.2.1 样品的合成 |
| 4.2.2 样品的表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 晶体结构分析 |
| 4.3.2 磁结构分析 |
| 4.3.3 热膨胀性能确定 |
| 4.3.4 电子结构DFT计算 |
| 4.3.5 热膨胀调控机制 |
| 4.3.6 RE2(Fe,Co)17负热膨胀调控 |
| 4.4 小结 |
| 5 Ho_2Fe_(11)Al_6的晶体结构、磁结构与热膨胀 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品的合成与表征 |
| 5.2.1 样品的合成 |
| 5.2.2 样品的表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 晶体结构分析 |
| 5.3.2 磁化强度分析 |
| 5.3.3 磁结构分析 |
| 5.3.4 热膨胀性能确定 |
| 5.3.5 磁体积效应 |
| 5.4 小结 |
| 6 非化学计量比Lu_(2-x)□_xFe_(17)化合物的磁结构与负热膨胀 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 样品制备与表征方法 |
| 6.2.1 样品制备方法 |
| 6.2.2 样品的表征 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 晶体结构分析 |
| 6.3.2 磁化强度分析 |
| 6.3.3 磁结构分析 |
| 6.3.4 热膨胀确定 |
| 6.3.5 自旋晶格耦合作用 |
| 6.4 小结 |
| 7 (Lu,Y)_(1.7)Fe_(17)化合物的磁结构与负热膨胀 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 样品的合成与表征 |
| 7.2.1 样品的合成 |
| 7.2.2 样品的表征 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 晶体结构分析 |
| 7.3.2 磁化强度分析 |
| 7.3.3 磁结构分析 |
| 7.3.4 热膨胀性能确定 |
| 7.3.5 自旋晶格耦合作用 |
| 7.4 小结 |
| 8 结论 |
| 8.1 结论 |
| 8.2 创新点 |
| 8.3 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
四、Lattice发布新一代ispLEVER~(TM)设计工具（论文参考文献）
- [1]高温下（ZrTaNbTi）C热性能和力学性能的密度泛函理论研究[D]. 罗东明. 广西大学, 2021(12)
- [2]多场景可见光通信信道损伤与系统设计研究[D]. 王潇正. 北京邮电大学, 2021(01)
- [3]基于GPU的晶格Boltzmann方法并行算法研究[D]. 朱红银. 广西师范大学, 2021(09)
- [4]软X射线谱学显微实验技术研究[D]. 孙天啸. 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2021(01)
- [5]高电荷镍离子光钟体系原子性质的理论研究[D]. 张婷贤. 中国科学院大学(中国科学院精密测量科学与技术创新研究院), 2021(01)
- [6]镍基氧还原电催化剂的设计合成与性能研究[D]. 毛健新. 吉林大学, 2021(01)
- [7]面向智能招聘的数据挖掘方法及其应用[D]. 秦川. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [8]液相硅熔渗制备金刚石/碳化硅复合材料及性能研究[D]. 王旭磊. 北京科技大学, 2021
- [9]纳米片环栅场效应晶体管（NS-GAAFET）电热特性及建模研究[D]. 刘人华. 华东师范大学, 2021(12)
- [10]RE2Fe17基化合物的磁结构与负热膨胀（RE：稀土元素）[D]. 曹宜力. 北京科技大学, 2021