异质结论文

亚微米GeSi HBT的物理模型和数值模拟方法

一、亚微米GeSiHBT的物理模型与数值模拟方法（论文文献综述）曹阳[1]（2020）在《硅基CMOS工艺微波MOSFET器件建模及参数提取技术研究》文中认为CMOS技术的不断...
AlN薄膜的制备与刻蚀技术

一、AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究（论文文献综述）乌李瑛,瞿敏妮,沈赟靓,田苗,马玲,王英,程秀兰[1]（2021）在《等离子体增强原子层沉积制备压电AlN薄膜》文中提出采用等...
GaN基发光二极管深能级研究

一、GaN基光发射二极管中深能级研究（论文文献综述）刘传洋[1]（2020）在《基于Al预淀积与复合AlN成核层技术的高性能AlGaN/GaN异质结及其SBD器件研究》文中指出...