模拟电路论文
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亚微米GeSi HBT的物理模型和数值模拟方法
一、亚微米GeSiHBT的物理模型与数值模拟方法(论文文献综述)曹阳[1](2020)在《硅基CMOS工艺微波MOSFET器件建模及参数提取技术研究》文中认为CMOS技术的不断... -
1.8V 电源电压 81dB 动态范围低过采样 ΣΔ 调制器(英文版)
一、1.8V电源电压81dB动态范围的低过采样率ΣΔ调制器(英文)(论文文献综述)牛葳[1](2020)在《MEMS陀螺中16位数模转换器设计》文中进行了进一步梳理MEMS微机...